Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 3 » Статья стр. 251
<<<>>>
Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием
DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50603.9554
Переводная версия: 10.1134/S1063782621030040
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 19-02-00649-a
Бреев И.Д. 1, Яковлева В.Д.1, Кудрявцев О.С.2, Баранов П.Г.1, Мохов Е.Н.1, Анисимов А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: valya_yakovleva_1999@mail.ru, pavel.baranov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 23 ноября 2020 г.
Принята к печати: 23 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.
PDF версия
Исследовано влияние высокотемпературной (T=1880oC) диффузии ионов бериллия и электронного облучения на оптические свойства монокристаллического нитрида алюминия. Показано, что введение Ве в AlN приводит к изменению спектральных характеристик комбинационного рассеяния света и инфракрасного поглощения. Анализ спектров комбинационного рассеяния света и инфракрасного поглощения в кристаллах, содержащих примесь Ве, доказывает, что эта примесь является геттером собственных дефектов, ответственных за желтый цвет кристалла AlN и уширение линий в спектрах. Ключевые слова: нитрид алюминия, легирование, бериллий, геттер, собственные дефекты, комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция, ифракрасное поглощение.
  1. J.Y. Tsao, S. Chowdhury, M.A. Hollis, D. Jena, N.M. Johnson, K.A. Jones, R.J. Kaplar, S. Rajan, C.G. van de Walle, E. Bellotti, C.L. Chua, R. Collazo, M. E. Coltrin, J.A. Cooper, K.R. Evans, S. Graham, T.A. Grotjohn, E.R. Heller, M. Higashiwaki, M.S. Islam, P.W. Juodawlkis, M.A. Khan, A.D. Koehler, J.H. Leach, U.K. Mishra, R.J. Nemanich, R.C.N. Pilawa-Podgurski, J.B. Shealy, Z. Sitar, M.J. Tadjer, A.F. Witulski, M. Wraback, J.A. Simmons. Adv. Electron. Mater., 4, 1600501 (2018)
  2. T.Y. Chemekova, O.V. Avdeev, I.S. Barash, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, A.D. Roenkov, A.S. Segal, Y.N. Makarov, M.G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava. Phys. Status Solidi C, 5, 1612 (2008)
  3. B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina. Phys. Status Solidi B, 244, 1759 (2007)
  4. Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature (London, UK), 441, 325 (2006)
  5. S.B. Orlinskii, J. Schmidt, P.G. Baranov, M. Bickermann, B.M. Epelbaum, A. Winnacker. Phys. Rev. Lett., 100, 256404 (2008)
  6. X.Th. Trinh, D. Nilsson, I.G. Ivanov, E. Janzn, A. Kakanakova-Georgieva, N.T. Son. Appl. Phys. Lett., 105, 162106 (2014)
  7. V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, A.S. Gurin, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii. Appl. Magn. Reson., 44, 1139 (2013)
  8. V.A. Soltamov, M.K. Rabchinskii, B.V. Yavkin, O.P. Kazarova, S.S. Nagalyuk, V.Y. Davydov, A.N. Smirnov, V.F. Lebedev, E.N. Mokhov, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov. Appl. Phys. Lett., 113, 082104 (2018)
  9. E.N. Mokhov, M.K. Rabchinskiy, S.S. Nagalyuk, M.R. Gafurov, O.P. Kazarova. Semiconductors, 54 (3), 278 (2020)
  10. E.N. Mokhov, A.A. Wolfson. Growth of AlN and GaN crystals by sublimation. In book: Single Crystals of Electronic Materials: Growth and Properties (Editted by Roberto Fornari, 2018) p. 401
  11. O.V. Avdeev, T.Yu. Chemekova, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, H. Helava, M.G. Ramm, A.S. Segal, A.I. Zhmakin, Yu.N. Makarov. Development of 2'' AlN Substrates Using SiC Seeds. Modern Aspects of Bulk Crystal and Thin Film Preparation (2012) p. 213-262
  12. M. Tanaka, S. Nakahata, K. Sogabe, H. Nakata, M. Tobioka. J. Appl. Phys., 36, L1062 (1997)
  13. A. Sedhain, L. Du, J.H. Edgar, J.Y. Lin, H.X. Jiang. App. Phys. Lett., 95, 262104 (2009)
  14. F. Demangeot, J. Groenen, J. Frandon, M.A. Renucci, O. Briot, S. Clur, R.L. Aulombard. Appl. Phys. Lett., 72, 2674 (1998)
  15. V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12899 (1998)
  16. M. Kuball, J.M. Hayes, Ying Shi, J.H. Edgar, A.D. Prins, N.W.A. van Uden, D.J.Dunstan. J. Cryst. Growth, 231, 391 (2001)
  17. A.T. Collins, E.C. Lightowlers, P.J. Dean. Phys. Rev., 158, 833 (1967)
  18. K. Irmscher, C. Hartmann, C. Guguschev, M. Pietsch, J. Wollweber, M. Bickermann. J. Appl. Phys., 114, 123505 (2013)
  19. Qin Zhou, Zhaofu Zhang, Hui Li, Sergii Golovynskyi, Xi Tang, Honglei Wu, Jiannong Wang, Baikui Li. APL Mater., 8, 081107 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme