Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010164 
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия 
Email: mnatt@yandex.ru
Поступила в редакцию: 9 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 14 сентября 2020 г.
Принята к печати: 18 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.
Показано, что при больших плотностях тока, превышающих некоторую величину jst1, в базовой области диодов Шоттки наряду с диффузионным режимом переноса осуществляется так же режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом. Было исследовано влияния этого недавно обнаруженного режима на вид вольт-амперных характеристик диодов Шоттки при больших плотностях тока. Показано, что в случае, когда величина отношения ширины базовой области к амбиполярной диффузионной длине становится больше единицы, на вольт-амперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Результаты аналитического исследования были проверены и подтверждены с помощью численного моделирования. Ключевые слова: режимы переноса носителей заряда в полупроводниках, мощные диоды Шоттки, вольт-амперная характеристика, влияние режимов переноса носителей на характеристики мощных структур.
- L.M. Hillkirk. Solid State Electron., 48, 2181 (2004)
- M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Semicond. Sci. Technol., 23, 085011 (2008)
- J.W. Palmour, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 235103 (2015)
- D.L. Scharfetter. Solid State Electron., 8, 299 (1965)
- A. Yu, E. Snow. Solid State Electron., 12, 155 (1969)
- B. Elfsten, P.A. Tove. Solid State Electron., 28, 721 (1985)
- W.T. Ng, S. Liang, C.A.T. Salama. Solid State Electron., 33, 39 (1990)
- T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 105, 044506 (2009)
- T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Semicond. Sci. Technol., 24, 075006 (2009)
- T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Solid State Electron., 121, 41 (2016)
- T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Phys. Semicond. Dev., 51, 8 (2017)
- А.Г. Тандоев, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков. ФТП, 54 (5), 470 (2020)
- M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids, (N. Y.--London, Academic Press, 1970). J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 26, 085016 (2011)
- T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Solid State Electron., 30, 579 (1987)
- T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
