"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010164
Тандоев А.Г.1, Мнацаканов Т.Т.1, Юрков С.Н.1
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
Email: mnatt@yandex.ru
Поступила в редакцию: 9 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 14 сентября 2020 г.
Принята к печати: 18 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.

Показано, что при больших плотностях тока, превышающих некоторую величину jst1, в базовой области диодов Шоттки наряду с диффузионным режимом переноса осуществляется так же режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом. Было исследовано влияния этого недавно обнаруженного режима на вид вольт-амперных характеристик диодов Шоттки при больших плотностях тока. Показано, что в случае, когда величина отношения ширины базовой области к амбиполярной диффузионной длине становится больше единицы, на вольт-амперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Результаты аналитического исследования были проверены и подтверждены с помощью численного моделирования. Ключевые слова: режимы переноса носителей заряда в полупроводниках, мощные диоды Шоттки, вольт-амперная характеристика, влияние режимов переноса носителей на характеристики мощных структур.
  1. L.M. Hillkirk. Solid State Electron., 48, 2181 (2004)
  2. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Semicond. Sci. Technol., 23, 085011 (2008)
  3. J.W. Palmour, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 235103 (2015)
  4. D.L. Scharfetter. Solid State Electron., 8, 299 (1965)
  5. A. Yu, E. Snow. Solid State Electron., 12, 155 (1969)
  6. B. Elfsten, P.A. Tove. Solid State Electron., 28, 721 (1985)
  7. W.T. Ng, S. Liang, C.A.T. Salama. Solid State Electron., 33, 39 (1990)
  8. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 105, 044506 (2009)
  9. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Semicond. Sci. Technol., 24, 075006 (2009)
  10. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Solid State Electron., 121, 41 (2016)
  11. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Phys. Semicond. Dev., 51, 8 (2017)
  12. А.Г. Тандоев, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков. ФТП, 54 (5), 470 (2020)
  13. M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids, (N. Y.--London, Academic Press, 1970). J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 26, 085016 (2011)
  14. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Solid State Electron., 30, 579 (1987)
  15. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.