Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы

Russian Science Foundation , 19-72-10011

Юрасов Д.В. ¹, Байдакова Н.А.¹, Вербус В.А.^1,2, Гусев Н.С.¹, Морозова Е.Е.¹, Шенгуров Д.В.¹, Яблонский А.Н.¹, Новиков А.В.^1,3

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский университет "Высшая школа экономики", Нижний Новгород, Россия National Research University Higher School of Economics, Nizhny Novgorod, Russia

National Research University Higher School of Economics, Nizhny Novgorod, Russia

³Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: Inquisitor@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 24 декабря 2020 г.

В окончательной редакции: 30 декабря 2020 г.

Принята к печати: 30 декабря 2020 г.

Выставление онлайн: 11 февраля 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты формирования на SOI подложках локально растянутых Ge микроструктур (микромостиков), встроенных в резонаторы, и исследования их оптических свойств. Был рассчитан дизайн резонаторов, совместимый с геометрией локально растянутой активной области, при использовании которого, с одной стороны, наблюдалась бы эффективная локализация электромагнитного поля в активной области структуры, а с другой - минимизировалось бы влияние резонатора на величину и распределение упругих деформаций в ней. Измерения спектров микрофотолюминесценции продемонстрировали значительное возрастание интенсивности сигнала в растянутых областях Ge микроструктур по сравнению с исходной Ge пленкой. Было показано, что формирование резонаторов приводит к уменьшению деформаций в Ge микромостиках, однако способствует увеличению интенсивности ФЛ исследуемых структур. Ключевые слова: SiGe-структуры, деформация, растянутый Ge, резонатор, фотолюминесценция, теплоотвод.

C. Boztug, J.R. Sanchez-Perez, F. Cavallo, M.G. Lagally, R. Paiella. ACS Nano, 8, 3136 (2014)
R. Geiger, T. Zabel, H. Sigg. Front. Mater., 2, 52 (2015)
R.A. Minamisawa, M.J. Suess, R. Spolenak, J. Faist, C. David, J. Gobrecht, K.K. Bourdelle, H. Sigg. Nature Commun., 3, 1096 (2012)
M.J. Suess, R. Geiger, R.A. Minamisawa, G. Schiefler, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, H. Sigg. Nature Photonics, 7, 466 (2013)
J. Petykiewicz, D. Nam, D.S. Sukhdeo, S. Gupta, S. Buckley, A.Y. Piggott, J. Vuckovic, K.C. Saraswat. Nano Lett., 16, 2168 (2016)
S. Bao, D. Kim, C. Onwukaeme, S. Gupta, K. Saraswat, K.H. Lee, Y. Kim, D. Min, Y. Jung, H. Qiu, H. Wang, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan, D. Nam. Nature Commun., 8, 1845 (2017)
F.T. Armand Pilon, A. Lyasota, Y.-M. Niquet, V. Reboud, V. Calvo, N. Pauc, J. Widiez, C. Bonzon, J.-M. Hartmann, A. Chelnokov, J. Faist, H. Sigg, Nature Commun., 10, 2724 (2019)
Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, В.А. Вербус, Н.С. Гусев, А.И. Машин, Е.Е. Морозова, А.В. Нежданов, А.В. Новиков, Е.В. Скороходов, Д.В. Шенгуров, А.Н. Яблонский. ФТП, 53, 1360 (2019)
N. Tas, T. Sonnenberg, H. Jansen, R. Legtenberg, M. Elwenspoek. J. Micromech. Microeng., 6, 385 (1996)
H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
J.-M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010)
Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49, 1463 (2015)
J. Liu, X. Sun, D. Pan, X. Wang, L.C. Kimerling, T.L. Koch, J. Michel. Opt. Express, 15, 11272 (2007)
B. Schwartz, A. Klossek, M. Kittler, M. Oehme, E. Kasper, J. Schulze. Phys. Status Solidi C, 11, 1686 (2014)
M.R. Barget, M. Virgilio, G. Capellini, Y. Yamamoto, T. Schroeder. J. Appl. Phys., 121, 245701 (2017)
D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 491, 26 (2018)
D.V. Yurasov, A.V. Novikov, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, P.A. Yunin, D.V. Shengurov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 33, 124019 (2018)
D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 118, 145701 (2015)
А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Е.Е. Морозова, Е.В. Скороходов, В.А. Вербус, А.Н. Яблонский, Н.А. Байдакова, Н.С. Гусев, К.Е. Кудрявцев, А.В. Нежданов, А.И. Машин. ФТП, 52, 1331 (2018)
L. Carroll, P. Friedli, S. Neuenschwander, H. Sigg, S. Cecchi, F. Isa, D. Chrastina, G. Isella, Y. Fedoryshyn, J. Faist. Phys. Rev. Lett., 109, 057402 (2012)
S. Gupta, D. Nam, J. Vuckovic, K. Saraswat. Phys. Rev. B, 97, 155127 (2018)
Yu.I. Morozov, L.I. Ukhanov. Sov. Phys. J., 13, 744 (1970)
A. Elbaz, M. El Kurdi, A. Aassime, S. Sauvage, X. Checoury, I. Sagnes, C. Baudot, F. Boeuf, P. Boucaud. APL Photon., 3, 106102 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель