Наблюдаемое в кристаллах Bi_2-xSb_x (0<x<2) p-типа уменьшение резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда ω_p при увеличении температуры лишь частично может быть объяснено увеличением поляризационного фона кристалла ε_{бесконечность}. Анализ экспериментальных данных позволяет утверждать, что температурное изменение ω_p, наблюдающееся в интервале от 80 до 300 K, обусловлено также и уменьшением отношения концентрации свободных носителей заряда к их эффективной массе p/m^*. Это можно объяснить увеличением эффективной массы носителей с ростом температуры, а также процессом перераспределения дырок между неэквивалентными экстремумами валентной зоны, существование которого подтверждается закономерностями температурного изменения ширины оптической запрещенной зоны, наблюдающимися в спектрах отражения инфракрасного излучения. Ключевые слова: полупроводники, плазменный резонанс, концентрация, эффективная масса свободных носителей заряда, электропроводность, термическая и оптическая ширина запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.