"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зонная структура и процессы в электронной системе кристаллов (Bi2-xSbx)Te3 (0<x<2) по данным оптических исследований в инфракрасном диапазоне
Забайкальский государственный университет, Поддержки научных подразделений, 15-2021
Степанов Н.П. 1,2, Калашников А.А. 3, Урюпин О.Н. 4
1Забайкальский государственный университет, Чита, Россия
2Забайкальский институт предпринимательства, Чита, Россия
3Забайкальский институт железнодорожного транспорта, Чита, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: np-stepanov@mail.ru, kalashnicov-aleksej@mail.ru, o.uryupin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 15 марта 2021 г.
Принята к печати: 15 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.

Наблюдаемое в кристаллах Bi2-xSbx (0<x<2) p-типа уменьшение резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда ωp при увеличении температуры лишь частично может быть объяснено увеличением поляризационного фона кристалла εбесконечность. Анализ экспериментальных данных позволяет утверждать, что температурное изменение ωp, наблюдающееся в интервале от 80 до 300 K, обусловлено также и уменьшением отношения концентрации свободных носителей заряда к их эффективной массе p/m*. Это можно объяснить увеличением эффективной массы носителей с ростом температуры, а также процессом перераспределения дырок между неэквивалентными экстремумами валентной зоны, существование которого подтверждается закономерностями температурного изменения ширины оптической запрещенной зоны, наблюдающимися в спектрах отражения инфракрасного излучения. Ключевые слова: полупроводники, плазменный резонанс, концентрация, эффективная масса свободных носителей заряда, электропроводность, термическая и оптическая ширина запрещенной зоны.
  1. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Вi2Te3 (М., Наука, 1972)
  2. Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина. Неорг. матер., 36 (7), 810 (2000)
  3. С.А. Немов, Н.М. Благих, Л.Д. Иванова. ФТТ, 56 (9), 1696 (2014)
  4. Н.П. Степанов, В.Ю. Наливкин, В.А. Комаров. Изв. РГПУ им. А.И. Герцена, 157, 74 (2013)
  5. V.A. Kul'bachinskii, A.Yu. Kaminskii, V.G. Kytin. J. Experimental and Theoretical Phys., 90 (6), 1081 (2000)
  6. Н.П. Степанов, А.А. Калашников. Опт. и спектр., 129, 619 (2021)
  7. L.R. Testardi, J.N. Bierly, F.J. Danahoe. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1209 (1962)
  8. C.H. Champness, A.L. Kipling. J. Phys. Chem. Sol., 27, 1409 (1966)
  9. В.А. Кутасов, Б.Я. Мойжес, И.А. Смирнов. ФТТ, 7, 1065 (1965)
  10. J.H. Dennis. Anisotropy of thermoelectric power in bismuth telluride. Laboratory of electronics (Massachusetts Institute of Technology; Cambridge, Massachusetts, 1961)
  11. В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, П.М. Тарасов, Н.А. Юзеева. ФТТ, 52 (9), 1707 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.