Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 4 » Статья стр. 365
<<<>>>
Применение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий ITO/Al2O3
DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50742.9574
Марков Л.К.1, Павлюченко А.С.1, Смирнова И.П.1, Меш М.В.2, Колоколов Д.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2АО "СКТБ Кольцова", Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 19 декабря 2020 г.
Принята к печати: 19 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.
PDF версия
На полученные методом электронно-лучевого испарения наноструктурированные оптически прозрачные и проводящие покрытия из оксида индия + олова методом атомно-слоевого осаждения наносились дополнительные слои Al2O3 нанометровой толщины. Использовались покрытия из оксида индия + олова, содержащие нитевидные кристаллы преимущественно вертикальной ориентации и обладающие эффективным показателем преломления, монотонно убывающим в направлении, перпендикулярном плоскости подложки. Изучалось влияние толщины наносимого слоя Al2O3 на оптические характеристики получаемых образцов. Показано, что применение метода атомно-слоевого осаждения позволяет равномерно покрывать защитными оболочками нитевидные кристаллы наноструктурированных пленок из оксида индия + олова большой толщины, в которых верхние нити затеняют нижележащие, что позволит получать более стойкие к воздействию внешней среды просветляющие проводящие покрытия с требуемыми параметрами. При нанесении защитного слоя Al2O3 сохраняется градиентный характер показателя преломления, присущий исходной пленке ITO. Ключевые слова: метод атомно-слоевого осаждения, наноструктурированные пленки ITO.
  1. J.W.S. Rayleigh. Proc. London Math. Soc., 11, 51 (1880)
  2. J.-Y. Cho, K.-J. Byeon, H. Lee. Optics Lett., 36, 3203 (2011)
  3. J.K. Kim, A.N. Noemaun, F.W. Mont, D. Meyaard, E.F. Schubert, D.J. Poxson, H. Kim, C. Sone, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 93, 221111 (2008)
  4. P.G. O'Brien, D.P. Puzzo, A. Chutinan, L.D. Bonifacio, G.A. Ozin, N.P. Kherani. Adv. Mater., 22, 611 (2010)
  5. P.G. O'Brien, Y. Yang, A. Chutinan, P. Mahtani, K. Leong, D.P. Puzzo, L.D. Bonifacio, C.W. Lin, G.A. Ozin, N.P. Kherani. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 102, 173 (2012)
  6. Z.W. Han, Z. Wang, X.M. Feng, B. Li, Z.Z. Mu, J.Q. Zhang, S.C. Niu, L.Q. Ren. Biosurface \& Biotribology, 2, 137 (2016)
  7. M. Kryuchkov, J. Lehmann, J. Schaab, V. Cherepanov, A. Blagodatski, M. Fiebig, V.L. Katanaev. J. Nanobiotechnology, 15, 61 (2017)
  8. M. Kryuchkov, O. Bilousov, J. Lehmann, M. Fiebig, V.L. Katanaev. Nature, 585, 383 (2020)
  9. K. Robbie, L.J. Friedrich, S.K. Dew, T. Smy, M.J. Brett. J. Vac. Sci. Technol. A: Vacuum, Surf., Film., 13, 1032 (1995)
  10. M.F. Schubert, J.-Q. Xi, J.K. Kim, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 90, 141115 (2007)
  11. J.K. Kim, T. Gessmann, E.F. Schubert, J.-Q. Xi, H. Luo, J. Cho, C. Sone, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 88, 013501 (2006)
  12. J.K. Kim, S. Chhajed, M.F. Schubert, E.F. Schubert, A.J. Fischer, M.H. Crawford, J. Cho, H. Kim, C. Sone. Adv. Mater., 20, 801 (2008)
  13. T. Aytug, A.R. Lupini, G.E. Jellison, P.C. Joshi, I.H. Ivanov, T. Liu, P. Wang, R. Menon, R.M. Trejo, E. Lara-Curzio, S.R. Hunter, J.T. Simpson, M.P. Paranthaman, D.K. Christen. J. Mater. Chem. C, 3, 5440 (2015)
  14. X.Y. Xue, Y.J. Chen, Y.G. Liu, S.L. Shi, Y.G. Wang, T.H. Wang. Appl. Phys. Lett., 88, 201907 (2006)
  15. A.J. Chiquito, A.J.C. Lanfredi, E.R. Leite. J. Phys. D. Appl. Phys., 41, 4 (2008)
  16. H.K. Yu, W.J. Dong, G.H. Jung, J.L. Lee. ACS Nano, 5, 8026 (2011)
  17. R. Rakesh Kumar, V. Gaddam, K. Narasimha Rao, K. Rajanna. Mater. Res. Express, 1, 35008 (2014)
  18. G.O. Setti, D.P. De Jesus, E. Joanni. Mater. Res. Express, 3, 105021 (2016)
  19. A.L. Beaudry, R.T. Tucker, J.M. Laforge, M.T. Taschuk, M.J. Brett. Nanotechnology, 23, 105608 (2012)
  20. G. Meng, T. Yanagida, K. Nagashima, H. Yoshida, M. Kanai, A. Klamchuen, F. Zhuge, Y. He, S. Rahong, X. Fang, S. Takeda, T. Kawai. J. Am. Chem. Soc., 135, 7033 (2013)
  21. H.K. Yu, J.L. Lee. Sci. Rep., 4, 1 (2014)
  22. Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова, С.И. Павлов. ФТП, 52, 1228 (2018)
  23. M.J. Park, C.U. Kim, S.B. Kang, S.H. Won, J.S. Kwak, C.-M. Kim, K.J. Choi. Adv. Opt. Mater., 5, 1600684 (2017)
  24. Z. Gong, Q. Li, Y. Li, H. Xiong, H. Liu, S. Wang, Y. Zhang, M. Guo, F. Yun. Appl. Phys. Express, 9, 082102 (2016)
  25. D.I. Markina, A.P. Pushkarev, I.I. Shishkin, F.E. Komissarenko, A.S. Berestennikov, A.S. Pavluchenko, I.P. Smirnova, L.K. Markov, M. Vengris, A.A. Zakhidov, S.V. Makarov. Nanophotonics, 9, 3977 (2020)
  26. Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова. ФТП, 53, 1052 (2019)
  27. Y. Kim, S. M. Lee, C.S. Park, S.I. Lee, M.Y. Lee. Appl. Phys. Lett., 71, 3604 (1997)
  28. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, Д.А. Закгейм, С.И. Павлов. ФТП, 50, 1001 (2016)
  29. R.J. Moerland, J.P. Hoogenboom. Optica, 3, 112 (2016)
  30. L. Kerkache, A. Layadi, A. Mosser. J. Alloys Compd., 485, 46 (2009)
  31. Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова. ФТП, 53, 181 (2019)
  32. C.H. Chiu, P.C. Yu, C.H. Chang, C.S. Yang, M.H. Hsu, H.C. Kuo, M.A. Tsai. Opt. Express, 17 (23), 21250 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme