Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 1 » Статья стр. 34
<<<>>>
Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50383.9519
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010139
Середин П.В.1,2, Голощапов Д.Л.1, Арсентьев И.Н.3, Николаев Д.Н.3, Пихтин Н.А.3, Слипченко С.О.3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 10 сентября 2020 г.
Принята к печати: 10 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.
PDF версия
Целью работы являлось исследование влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на c-Si, на оптические свойства эпитаксиального слоя GaAs, выращенного методом МОС-гидридной эпитаксии. Впервые показано, что низкотемпературный рост высококачественных эпитаксиальных пленок GaAs может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si позволяет нивелировать ряд негативных эффектов низкотемпературного роста, снизить уровень напряжений в эпитаксиальном слое, защитить от автолегирования атомами кремния, сократить число технологических операций по росту переходных буферных слоев, улучшить структурные и морфологические характеристики эпитаксиального слоя, а также достичь хороших оптических характеристик слоя. Проведены исследования полученных гетероструктур GaAs/Si методами рамановской спектроскопии, фотолюминесценции, спектроскопии оптического пропускания-отражения. Полученные данные послужат важным материалом для понимания основ физики и технологии интегрированных гетероструктур AIIIBV/Si, способствуя их применению в устройствах оптоэлектроники. Ключевые слова: гетероструктура GaAs/Si, податливая подложка, proto-Si, сверхструктурный слой, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция, оптические спектры
  1. A. Ballabio, S. Bietti, A. Scaccabarozzi, L. Esposito, S. Vichi, A. Fedorov, A. Vinattieri, C. Mannucci, F. Biccari, A. Nemcsis, L. Toth, L. Miglio, M. Gurioli, G. Isella, S. Sanguinetti. Sci. Rep., 9, (2019). doi:10.1038/s41598-019-53949-x
  2. M. Feifel, D. Lackner, J. Ohlmann, J. Benick, M. Hermle, F. Dimroth. Sol. RRL, 3, 1900313 (2019). doi:10.1002/solr.201900313
  3. A.A. Geldash, V.N. Djuplin, V.S. Klimin, M.S. Solodovnik, O.A. Ageev. J. Phys. Conf. Ser., 1410, 012030 (2019). doi:10.1088/1742-6596/1410/1/012030
  4. P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, D.S. Zolotukhin. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructur., 104, 101 (2018). doi:10.1016/j.physe.2018.07.024
  5. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructur., 97, 218 (2018). doi:10.1016/j.physe.2017.11.018
  6. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. Phys. B: Condens. Matter, 530, 30 (2018). doi:10.1016/j.physb.2017.11.028
  7. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke. Appl. Surf. Sci., 476, 1049 (2019). doi:10.1016/j.apsusc.2019.01.239
  8. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013). doi:10.1016/j.apsusc.2012.09.053
  9. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006). doi:10.1002/sia.2306
  10. P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, Yu.Yu. Khudyakov, A.S. Lenshin, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, Т. Prutskij. Phys. B: Condens. Matter, 509, 1 (2017). doi:10.1016/j.physb.2016.12.030
  11. T. Prutskij, P. Seredin, G. Attolini. J. Luminesc., 195, 334 (2018). doi:10.1016/j.jlumin.2017.11.016
  12. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 1094 (2014). doi:10.1134/S1063782614080211
  13. P. Seredin, A. Glotov, E. Domashevskaya, I. Arsentyev, D. Vinokurov, A. Stankevich, I. Tarasov. In: Adv. Mater. Technol. MicroNano-Devices Sensors Actuators, ed. by E. Gusev, E. Garfunkel, and A. Dideikin (Springer Netherlands, Dordrecht, 2010) p. 225
  14. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010). doi:10.1016/j.physb.2010.03.049
  15. D.-S. Jiang, X.-P. Li, B.-Q. Sun, H.-X. Han. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 629 (1999). doi:10.1088/0022-3727/32/6/005
  16. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors,1st edn, ed. by Sadao Adachi (Wiley, Chichester, UK, 2009)
  17. N.M. Belyi, O.V. Vakulenko, V.A. Gubanov, V.A. Skryshevskii. J. Appl. Spectrosc., 41, 938 (1984). doi:10.1007/BF00659848
  18. W.Q. Li, P.K. Bhattacharya, S.H. Kwok, R. Merlin. J. Appl. Phys., 72, 3129 (1992). doi:10.1063/1.351474
  19. A.G. Rodri guez, H. Navarro-Contreras, M.A. Vidal. J. Appl. Phys., 90, 4977 (2001). doi:10.1063/1.1410886
  20. B. Pajot, B. Clerjaud, B. Pajot. Electronic Absorption of Deep Centres and Vibrational Spectra (Springer, Heidelberg, 2013)
  21. S. Perkowitz. Optical Characterization of Semiconductors: Infrared, Raman, and Photoluminescence Spectroscopy (Academic Press, London-San Diego, 1993)
  22. J. Jim enez, J.W. Tomm. Spectroscopic Analysis of Optoelectronic Semiconductors (Springer, Cham, 2016)
  23. V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.Ya. Prints, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, A.O. Govorov. J. Exp. Theor. Phys. Lett., 66, 47 (1997). doi:10.1134/1.567481
  24. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015). doi:10.1016/j.mssp.2015.05.067
  25. P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 495, 54 (2016). doi:10.1016/j.physb.2016.04.044
  26. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 915 (2015). doi:10.1134/S1063782615070210
  27. Tauc J. Prog. Semicond. Heywood Lond., 9, 87 (1965)
  28. Yu.I. Ukhanov. Optical properties of semiconductors (Nauka, Moscow, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme