Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 7 » Статья стр. 607
<<<>>>
Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9-1.8 мкм
DOI: 10.21883/FTP.2021.07.51027.9637
Куницына Е.В. 1, Пивоварова А.А.1, Андреев И.А.1, Коновалов Г.Г. 1, Иванов Э.В. 1, Ильинская Н.Д. 1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kunits@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 марта 2021 г.
Принята к печати: 15 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.
PDF версия
Созданы и исследованы неохлаждаемые фотодиоды на основе гетероструктур GaSb/GaAlAsSb для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9-1.8 мкм. Активная область GaSb была получена с использованием свинца в качестве нейтрального растворителя с целью снижения концентрации природных акцепторов. Емкость фотодиодов при диаметре чувствительной площадки 300 мкм составляла 115-135 пФ без смещения и 62-70 пФ при обратном смещении 1.5 В. Быстродействие фотодиода, измеренное в фотовольтаическом режиме с помощью InGaAsP/InP-лазера с длиной волны излучения 1.55 мкм, достигало tau0.1-0.9=42-60 нс. Экспериментально продемонстрировано, что созданные фотодиоды могут использоваться без охлаждения для регистрации импульсного излучения лазеров и светодиодов в ближней ИК-области спектра. Ключевые слова: фотодиоды, GaSb/GaAlAsSb-гетероструктуры, быстродействие, лазеры, светодиоды.
  1. М.О. Искандаров, А.А. Никитичев, М.А. Свердлов, А.Л. Тер-Мартиросян. Науч. приборостроение, 25 (3), 124 (2015)
  2. L. Hou, S. Tang, B. Hou, S. Liang, J.H.H. Marsh. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 24 (6), 1102508 (2018)
  3. А.А. Мармалюк, Ю.Л. Рябоштан, П.В. Горлачук, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин. Квант. электрон., 47 (3), 272 (2017)
  4. G. Belenky, L. Shterengas, C.W. Trussell, C.L. Reynolds, Jr., M.S. Hybertsen, R. Menna. In: Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium, ed. by S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky (N.Y., Wiley Interscience, 2002) p. 231
  5. A.Y. Egorov, D. Bernklau, B. Borchert, S. Illek, D. Livshits, A. Rucki, M. Schuster, A. Kaschner, A. Hoffmann, G. Dumitras, M.C. Amann, H. Riechert. J. Cryst. Growth, 227--228, 545 (2001)
  6. S.R. Bank, M.A. Wistey, H.B. Yuen, L.L. Goddard, H.P. Bae, J.S. Harris. J. Vac. Sci. Technol. B, 23 (3), 1337 (2005)
  7. J.W. Ferguson, P. Blood, P.M. Smowton, H. Bae, T. Sarmiento, J.S. Harris, N. Tansu, L.J. Mawst. IEEE J. Quant. Electron., 47 (6), 870 (2011)
  8. Е.В. Луценко, Н.В. Ржеуцкий, А.Г. Войнилович, И.Е. Свитенков, А.В. Нагорный, В.А. Шуленкова, Г.П. Яблонский, А.Н. Алексеев, С.И. Петров, Я.А. Соловьёв, А.Н. Петлицкий, Д.В. Жигулин, В.А. Солодуха. Квант. электрон., 49 (6), 540 (2019)
  9. M.M. Bajo, A. Guzman, A. Trampert, A. Hierro. Solid-State Electron., 54 (4), 492 (2010)
  10. R.J. Curry, W.P. Gillin, M. Somerton, A.P. Knights, R. Gwilliam. In: Organic Light-Emitting Materials and Devices IV, ed. by Z.H. Kafafi [Proc. SPIE, 4105, 265 (2001)]
  11. W. Reeb. www.azimp.ru/articles/applications/38538/
  12. M. Elcurdi, P. Boucaud, S. Sauvage. Appl. Phys. Lett., 80, 509 (2002)
  13. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. ФТТ, 47 (1), 37 (2005)
  14. K.A. Lozovoy, A.V. Voytsekhovskiy, A.P. Kokhanenko, V.G. Satdarov, O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov. Opto-Electron. Rev., 22 (3), 171 (2014)
  15. И.Б. Чистохин, К.С. Журавлев. Успехи прикл. физики, 3 (1), 85 (2015)
  16. О.А. Kozyreva, Y.V. Solov'ev, I.S. Polukhin, A.K. Mikhailov, G.A. Mikhailovskiy, M.A. Odnoblyudov, E.Z. Gareev, E.S. Kolodeznyi, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, A.Yu. Egorov, V.E. Bougrov. IOP Conf. Ser.: J. Physics: Conf. Ser., 917, 052029 (2017)
  17. K. Sun, A. Beling. Appl. Sci., 9 (4), 623 (2019)
  18. www.hamamatsu.com
  19. www.jenoptik.com
  20. www.laserscom.com
  21. www.ibsg.ru
  22. Е.В. Куницына, И.А. Андреев, Г.Г. Коновалов, Э.В. Иванов, А.А. Пивоварова, Н.Д. Ильинская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 52 (9), 116 (2018)
  23. И.А. Андреев, О.Ю. Серебренникова, Г.С. Соколовский, В.В. Дюделев, Н.Д. Ильинская, Г.Г. Коновалов, Е.В. Kуницына, Ю.П. Яковлев. ФТП, 47 (8), 1109 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme