Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
Малевская А.В.
1, Калюжный Н.А.
1, Малевский Д.А.
1, Минтаиров С.А.
1, Салий Р.А.
1, Паньчак А.Н.
1, Покровский П.В.
1, Потапович Н.С.
1, Андреев В.М.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, r.saliy@mail.ioffe.ru, a.panchak@mail.ioffe.ru, P.Pokrovskiy@mail.ioffe.ru, nspotapovich@mail.ioffe.ru, vmandreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 15 марта 2021 г.
Принята к печати: 15 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.
Выполнены исследования инфракрасных светодиодов с длиной волны излучения 850 нм на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с брэгговским отражателем и дополнительным "отражающим" слоем Al0.9Ga0.1As, обеспечивающими снижение внутренних оптических потерь генерируемого излучения. Разработана постростовая технология формирования фронтальных полосковых омических контактов и текстурирования световыводящей поверхности, позволившая снизить омические потери и увеличить эффективность вывода излучения из кристалла. Внешний квантовый выход светодиодов с двумя внутренними отражателями и текстурированием составил >9% в диапазоне токов 0.1-1.4 А. Ключевые слова: инфракрасный излучающий диод, брэгговский отражатель, текстурирование.
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, Б.В. Егоров, Б.В. Пушный, Л.Т. Чичуа. ФТП, 48 (4), 809 (1978)
- А.Л. Закгейм, В.М. Марахонов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 6 (17), 1034 (1980)
- У. Бекирев, С. Бабенко, В. Крюков, Б. Потапов, А. Скипер. Электроника. Спецвыпуск 00137, 137 (2014)
- Электронный ресурс АО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" https://www.niipp.ru/
- https://www.epistar.com/EpistarEn/prodInfo
- Su-Chang Ahn, Byung-Teak Lee, Won-Chan An, Dae-Kwang Kim, In-Kyu Jang, Jin-Su So, Hyung-Joo Lee. J. Korean Phys. Soc., 69 (1), 91 (2016)
- V.M. Lantratov, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts. Adv. Sci. Technol., 74, 225 (2010)
- В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, М.В. Нахимович, Р.А. Салий, М.З. Шварц. ФТП, 54 (4), 400 (2020)
- I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63, 2174 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
