"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020044
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Забегаев Д.Н.1, Кривоносов А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: bil@cplire.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 10 октября 2020 г.
Принята к печати: 10 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

При мощной пикосекундной оптической накачке тонкого слоя GaAs в нем образуется интенсивное пикосекундное стимулированное излучение. Спектр излучения представляет собой световой континуум. На базе результатов предыдущих экспериментальных работ сделано следующее. Получены оценки: (а) длин усиления спектральных компонент излучения, т. е. различающихся между собой расстояний, на протяжении которых в активной среде, созданной накачкой, усиливаются различные компоненты излучения; (б) зависимости характерного времени релаксации компонент излучения от их длин усиления. Показано, что спектр произведения длины усиления на коэффициент усиления связывает линейно спектры спонтанного и стимулированного излучений GaAs. Эта связь установлена при насыщении усиления, о котором свидетельствует провал в спектре усиления, "выжженный" интенсивным излучением. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, спектральные компоненты излучения, длина усиления, характерное время релаксации, насыщение усиления, связь стимулированного и спонтанного излучений, арсенид галлия.
  1. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 53, 1471 (2019)
  2. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 144, 227 (2013)
  3. E.O. Goebel, O. Hildebrand, K. Lohnert. IEEE J. Quant. Electron., 13, 848 (1977)
  4. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1981)
  5. О. Звелто. Принципы лазеров (СПб., Лань, 2008)
  6. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
  7. J. Shah, R.F. Leheny, C. Lin. Sol. St. Commun., 18, 1035 (1976)
  8. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 51, 594 (2017)
  9. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
  10. L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256, (1977)
  11. В.Д. Соловьев. Физика лазеров. Текст лекций (4-й курс). http://elib.spbstu.ru/dl/2313.pdf/download/2313.pdf
  12. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 55 (2), 9510 (2021)
  13. Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
  14. С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
  15. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  16. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
  17. Физика полупроводниковых лазеров, под ред. Х. Такумы (М., Мир, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.