Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020044 
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия 
Email: bil@cplire.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 10 октября 2020 г.
Принята к печати: 10 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.
При мощной пикосекундной оптической накачке тонкого слоя GaAs в нем образуется интенсивное пикосекундное стимулированное излучение. Спектр излучения представляет собой световой континуум. На базе результатов предыдущих экспериментальных работ сделано следующее. Получены оценки: (а) длин усиления спектральных компонент излучения, т. е. различающихся между собой расстояний, на протяжении которых в активной среде, созданной накачкой, усиливаются различные компоненты излучения; (б) зависимости характерного времени релаксации компонент излучения от их длин усиления. Показано, что спектр произведения длины усиления на коэффициент усиления связывает линейно спектры спонтанного и стимулированного излучений GaAs. Эта связь установлена при насыщении усиления, о котором свидетельствует провал в спектре усиления, "выжженный" интенсивным излучением. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, спектральные компоненты излучения, длина усиления, характерное время релаксации, насыщение усиления, связь стимулированного и спонтанного излучений, арсенид галлия.
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 53, 1471 (2019)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 144, 227 (2013)
- E.O. Goebel, O. Hildebrand, K. Lohnert. IEEE J. Quant. Electron., 13, 848 (1977)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1981)
- О. Звелто. Принципы лазеров (СПб., Лань, 2008)
- N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
- J. Shah, R.F. Leheny, C. Lin. Sol. St. Commun., 18, 1035 (1976)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 51, 594 (2017)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
- L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256, (1977)
- В.Д. Соловьев. Физика лазеров. Текст лекций (4-й курс). http://elib.spbstu.ru/dl/2313.pdf/download/2313.pdf
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 55 (2), 9510 (2021)
- Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
- С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
- Физика полупроводниковых лазеров, под ред. Х. Такумы (М., Мир, 1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
