В тонких пленках твердых растворов Cu(In, Ga)Se₂ изучены радиационно-индуцированные эффекты после имплантации ионами водорода с энергией 2.5, 5 и 10 кэВ, дозой ~3·10¹⁵ см^-2. Сравнительный анализ оптических характеристик неимплантированных и имплантированных водородом тонких пленок Cu(In, Ga)Se₂ был проведен на основе измеренных спектров фотолюминесценции и спектров возбуждения люминесценции, снятых при температуре жидкого гелия, ~4.2 K. Ширина запрещенной зоны твердых растворов Cu(In, Ga)Se₂, определенная по данным математической обработки спектров возбуждения люминесценции, составила ~1.171 эВ. В спектрах фотолюминесценции неимплантированных и имплантированных водородом пленок Cu(In, Ga)Se₂ обнаружена интенсивная полоса с максимумом при ~1.089 эВ, обусловленная рекомбинацией свободных электронов с дырками, локализованными в хвостах валентной зоны. Установлено, что появление в спектрах фотолюминесценции широких полос с максимумами в области энергий ~0.92 и ~0.77 эВ обусловлено излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда на глубоких энергетических уровнях ионно-индуцированных дефектов акцепторного типа, образующихся в запрещенной зоне твердых растворов Cu(In, Ga)Se₂. Обсуждаются условия возникновения эффекта ионной пассивации оборванных электронных связей на поверхности и в объеме поликристаллических пленок Cu(In, Ga)Se₂, а также природа точечных дефектов структуры и механизмы излучательной рекомбинации. Ключевые слова: твердые растворы Cu(In, Ga)Se₂, фотолюминесценция, ионы водорода, дефекты, энергетические уровни, ширина запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.