Методом молекулярной динамики с использованием аналитического потенциала, учитывающего sigma- и π-связи между атомами, выполнено моделирование образования димеров при низкотемпературной реконструкции (001) поверхности GaAs, оканчивающейся атомами Ga или As. Определены величины уменьшения потенциальной энергии атомов при образовании поверхностного изолированного димера и обнаружено, что потенциальная энергия атома в As-димере на несколько десятых эВ ниже, чем в Ga-димере. В области температур 25-40 K исследована кинетика начальных этапов образования Ga-димеров и получено, что характеристическая энергия термической активации образования одиночных изолированных Ga-димеров составляет ~29 мэВ и ниже аналогичной величины для As-димеров (~38 мэВ). В диапазоне температур 28-37 K оценены постоянные времени, характеризующие среднюю скорость преобразования одиночного димера в цепочку из двух димеров. Для двойных Ga- и As-димеров величины, обратные этим временам, оказались лежащими соответственно в диапазонах 10¹¹-10¹² и 10⁹-10¹⁰ с^-1, тогда как подобные параметры для образования одиночных димеров лежат в диапазоне 4·10⁶-10⁸ и 1.4·10⁶-7.4·10⁷ с^-1. Ключевые слова: наноиндентация, реконструкция поверхности, димеры атомов As, димеры атомов Ga, молекулярная динамика.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.