"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров
Российский научный фонд, 19-72-30010
Высшая школа экономики, Программа фундаментальных исследований НИУ ВШЭ
Жуков А.Е.1, Крыжановская Н.В.1, Моисеев Э.И.1, Надточий А.М.1,2, Максимов М.В.3,1, Драгунова А.С.1
1Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhukale@gmail.com, nkryzhanovskaya@hse.ru, emoiseev@hse.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, maximov.mikh@gmail.com, olianndra@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 17 октября 2020 г.
Принята к печати: 17 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Представлены аналитические выражения и с их помощью выполнен анализ компонент электрического сопротивления инжекционных микродисковых лазеров в зависимости от размера микродискового резонатора, параметров подложки и геометрии расположения контакта к ней. Ключевые слова: микролазер, микродисковый резонатор, электрическое сопротивление, растекание тока, эффект скопления тока.
  1. Y. Wan, D. Inoue, D. Jung, J.C. Norman, C. Shang, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Photon. Res., 6 (8), 776 (2018)
  2. F. Zubov, M. Maximov, N. Kryzhanovskaya, E. Moiseev, M. Muretova, A. Mozharov, N. Kaluzhnyy, S. Mintairov, M. Kulagina, N. Ledentsov, jr., L. Chorchos, N. Ledentstsov, A. Zhukov. Optics Lett., 44 (22), 5442 (2019)
  3. Y. Wan, J. Norman, Q. Li, M.J. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, D. Huang, Z. Zhang, A.Y. Liu, A. Torres, D. Jung, A.C. Gossard, E.L. Hu, K.M. Lau, J.E. Bowers. Optica, 4 (8), 940 (2017)
  4. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, A.S. Dragunova, M. Tang, S. Chen, H. Liu, M.M. Kulagina, S.A. Kadinskaya, F.I. Zubov, A.M. Mozharov, M.V. Maximov. Materials, 13 (10), 2315 (2020)
  5. N. Kryzhanovskaya, E. Moiseev, Yu. Polubavkina, M. Maximov, M. Kulagina, S. Troshkov, Yu. Zadiranov, Yu. Guseva, A. Lipovskii, M. Tang, M. Liao, J. Wu, S. Chen, H. Liu, A. Zhukov. Optics Lett., 42 (17), 3319 (2017)
  6. Semi-conducting GaAs Specifications, http://www.axt.com/site/index.php?q=node/37
  7. M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.M. Nadtochiy, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, Z.F. Sadrieva, A.E. Zhukov, A.A. Lipovskii, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila. Nanoscale Res. Lett., 9 (1), 657 (2014)
  8. Ф.И. Зубов, Э.И. Моисеев, Г.О. Корнышов, Н.В. Крыжановская, Ю.М. Шерняков, А.С. Паюсов, М.М. Кулагина, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. Письма ЖТФ, 45 (19), 37 (2019)
  9. A.S. Novikov, E.I. Moiseev, N.V. Kryzhanovskaya, B.I. Afinogenov, Y.A. Guseva, K. Kotlyar, A.A. Lipovskii, A.G. Nasibulin, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. J. Phys. Conf. Ser., 1124, 041012 (2018)
  10. A.E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, A.M. Nadtochiy, A.S. Dragunova, M.V. Maximov, F.I. Zubov, S.A. Kadinskaya, Yu. Berdnikov, M.M. Kulagina, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy. IEEE J. Quant. Electron., 56 (5), 2000908 (2020)
  11. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  12. Н.Н. Поляков, В.Л. Коньков. Изв. вузов. Физика, 9, 100 (1970)
  13. R.S. Timsit. In: Electrical Contacts: Principles and Applications, ed. by P.G. Sladev. 2nd edn (N.Y., USA, CRC Press, 2014) chap. 1, p. 3
  14. V. Lysak, K.S. Chang, Y.-T. Lee. Appl. Phys. Lett., 87, 231118 (2005)
  15. S.S. Cohen, G. Gildenblat. In: Metal-Semiconductor Contacts and Devices, v. 13 (London, UK, 1986, Academic Press, 1986) chap. 4, p. 87
  16. В.Я. Нисков, Г.А. Кубецкий. ФТП, 4 (9), 1806 (1970)
  17. G.S. Marlow, M.B. Das. Solid-State Electron., 25 (2), 91 (1982).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.