Высоковольтные 4H-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
Иванов П.А.1, Лебедева Н.М.1, Ильинская Н.Д.1, Кудояров М.Ф.1, Самсонова Т.П.1, Коньков О.И.1, Задиранов Ю.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natali_lebedeva@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 12 октября 2020 г.
Принята к печати: 12 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.
Изготовлены высоковольтные (2000 В) 4H-SiC диоды с барьером Шоттки. Для подавления преждевременного краевого пробоя на периферии активной области диодов формировалась полевая обкладка, диэлектрическим слоем в которой служит полуизолирующий 4H-SiC, созданный с помощью облучения высокоэнергетичными (53 МэВ) ионами аргона. Для маскирования активных областей диодных структур от облучения на шоттки-контактах локальным гальваническим осаждением выращивались никелевые столбики с вертикальными стенками высотой 10-12 мкм. Сравнение вольт-амперных характеристик диодов с обкладкой и контрольных диодов без обкладки показало, что после облучения прямые вольт-амперные характеристики практически не изменяются, в то время как обратные вольт-амперные характеристики кардинально улучшаются. При этом вольт-амперные характеристики облученных диодов как в прямом, так и в обратном направлении хорошо описываются по классической теории термоэмиссии, если дополнительно учитывается понижение высоты барьера с ростом изгиба энергетических зон в полупроводнике. Ключевые слова: карбид кремния, диод Шоттки, полевая обкладка, имплантация аргона.
- T. Kimoto, J.A. Cooper. Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices, and applications (Wiley-IEEE Press, 2014)
- D. Alok, B.J. Baliga, P.K. McLarty. IEEE Electron Dev. Lett., 15, 394 (1994)
- D. Alok, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron Dev., 44, 1013 (1997)
- A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami. IEEE Electron Dev. Lett., 17, 139 (1996)
- M.H. Joo, K.H. Lee, J.H. Song, S. Im. Mater. Sci. Engin. B, 71, 224 (2000)
- C.S. Choi, W.Y. Choi, M.H. Joo, J.H. Song, S. Im. J. Vac. Sci. Techn. B, 20, 613 (2002)
- П.А. Иванов, М.Ф. Кудояров, М.А. Козловский, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 50, 937 (2016)
- П.А. Иванов, А.С. Потапов, М.Ф. Кудояров, М.А. Козловский, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 44, 11 (2018)
- П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин. ФТП, 47, 83 (2013)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1 (М., Мир, 1984). [Пер. с англ: S.M. Sze. Physics of Semiconductors Physics. V. 1 (John Wiley\&Sons, N. Y., 1981)]
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
