"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высоковольтные 4H-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020147
Иванов П.А.1, Лебедева Н.М.1, Ильинская Н.Д.1, Кудояров М.Ф.1, Самсонова Т.П.1, Коньков О.И.1, Задиранов Ю.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natali_lebedeva@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 12 октября 2020 г.
Принята к печати: 12 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Изготовлены высоковольтные (2000 В) 4H-SiC диоды с барьером Шоттки. Для подавления преждевременного краевого пробоя на периферии активной области диодов формировалась полевая обкладка, диэлектрическим слоем в которой служит полуизолирующий 4H-SiC, созданный с помощью облучения высокоэнергетичными (53 МэВ) ионами аргона. Для маскирования активных областей диодных структур от облучения на шоттки-контактах локальным гальваническим осаждением выращивались никелевые столбики с вертикальными стенками высотой 10-12 мкм. Сравнение вольт-амперных характеристик диодов с обкладкой и контрольных диодов без обкладки показало, что после облучения прямые вольт-амперные характеристики практически не изменяются, в то время как обратные вольт-амперные характеристики кардинально улучшаются. При этом вольт-амперные характеристики облученных диодов как в прямом, так и в обратном направлении хорошо описываются по классической теории термоэмиссии, если дополнительно учитывается понижение высоты барьера с ростом изгиба энергетических зон в полупроводнике. Ключевые слова: карбид кремния, диод Шоттки, полевая обкладка, имплантация аргона.
  1. T. Kimoto, J.A. Cooper. Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices, and applications (Wiley-IEEE Press, 2014)
  2. D. Alok, B.J. Baliga, P.K. McLarty. IEEE Electron Dev. Lett., 15, 394 (1994)
  3. D. Alok, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron Dev., 44, 1013 (1997)
  4. A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami. IEEE Electron Dev. Lett., 17, 139 (1996)
  5. M.H. Joo, K.H. Lee, J.H. Song, S. Im. Mater. Sci. Engin. B, 71, 224 (2000)
  6. C.S. Choi, W.Y. Choi, M.H. Joo, J.H. Song, S. Im. J. Vac. Sci. Techn. B, 20, 613 (2002)
  7. П.А. Иванов, М.Ф. Кудояров, М.А. Козловский, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 50, 937 (2016)
  8. П.А. Иванов, А.С. Потапов, М.Ф. Кудояров, М.А. Козловский, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 44, 11 (2018)
  9. П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин. ФТП, 47, 83 (2013)
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1 (М., Мир, 1984). [Пер. с англ: S.M. Sze. Physics of Semiconductors Physics. V. 1 (John Wiley\&Sons, N. Y., 1981)]
  11. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.