Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модельные оценки квантовой емкости аморфных и эпитаксиальных графеноподобных соединений

DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50506.9513

Переводная версия: 10.1134/S1063782621020111

Давыдов С.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Sergei_Davydov@mail.ru

Поступила в редакцию: 26 августа 2020 г.

В окончательной редакции: 30 сентября 2020 г.

Принята к печати: 5 октября 2020 г.

Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложены модели плотностей состояний аморфных графена и бинарных графеноподобных соединений, с помощью которых выполнены оценки квантовой емкости этих структур. Показано, что аморфизация понижает величину квантовой емкости. Тот же эффект имеет место, когда графен или графеноподобное соединение взаимодействует с металлической подложкой, тогда как в случае полупроводниковой (диэлектрической) подложки имеет место увеличение квантовой емкости. Ключевые слова: графен, графеноподобное соединение, металлическая и полупроводниковая подложки, модельная плотность состояний.

S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 96, 501 (1988)
D.L. John, L.C. Castro, D.L. Pulfrey. J. Appl. Phys., 96, 5180 (2004)
T. Fang, A. Konar, H. Xing, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 91, 092109 (2007)
J. Guo, Y. Yoon, Y. Ouyang. Nano Lett., 7, 1935 (2007)
G.S. Kliros. Romanian J. Inform. Sci. Technol., 13. 332 (2010)
M.V. Cheremisin. Physica E, 69, 153 (2015)
Z.Z. Alisultanov, M.S. Reis. EPL, 113, 28004 (2016)
A.B.G. Trabelsi, F.V. Kusmartsev, D.M. Forrester, O.E. Kusmartseva, M.B. Gaifullin, P. Cropper, M. Oueslati. J. Mater. Chem. C, 4, 5829 (2016)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, П.В. Булат, А.В. Зубов. Письма ЖТФ, 46 (15), 7 (2020)
F. Su, L. Huo, Q. Kong, L. Xie, C. Chen. Catalysts, 8, 444 (2018)
Q. Xu, G. Yang, X. Fan, W. Zheng. ASC Omega, 4, 13209 (2019)
T. Sruthi, K. Tarafder. Bull. Mater. Sci., 42, 257 (2019). https://doi.org/10.1007/s12034-019-1952-8
Y. Shao, M.F. El-Kady, L.J. Wang, Q. Zhang, Y. Li, H. Wang, M.F. Mousaviae, R.B. Kaner. Chem. Soc. Rev., 44, 3639 (2015)
M.F. El-Kady, Y. Shao, R.B. Kaner. Nature Rev. Mater., 1, 16033 (2016)
П.В. Ратников, А.П. Силин. УФН, 188, 1294 (2018)
C.-J. Tong, H. Zhang, Y.-N. Zhang, H. Liu, L.-M. Liu. J. Mater. Chem. A, 2, 17971 (2014)
A.K. Singh, H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Phys. Rev. B, 89, 245431 (2014)
D. Kecik, A. Onen, M. Konuk, E. Gurbuz, F. Ersan, S. Cahangirov, E. Akturk, E. Durgun, S. Ciraci. Appl. Phys. Rev., 5, 011105 (2018)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, А.В. Зубов, П.В. Булат. Письма ЖТФ, 46 (23), 19 (2020)
V. Kapko, D.A. Darbold, M.F. Thorpe. Phys. Status Solidi B, 247, 1197 (2010)
M. Zheng, K. Takei, B. Hsia, H. Fang, X. Zhang, N. Ferralis, H. Ko, Y.-L. Chuen, Y. Zang, R. Maboudian, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 96, 063110 (2010)
J. Kotakoski, A.V. Krasheninnikov, U. Kaizer, J.C. Meyer. Phys. Rev. Lett., 106, 105505 (2011)
D.V. Tuan, A. Kumar, S. Roche, F. Ortmann, M.F. Thorpe, P. Ordejon. Phys. Rev. B, 86, 121408 (R) (2012)
С.Ю. Давыдов. ФТП, 50, 382 (2016)
Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 57, 1017 (2015)
N.M.R. Peres, F. Guinea, A.H. Castro Neto. Phys. Rev. B, 73, 125411 (2006)
A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 779 (2016)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. Элементарное введение в теорию наносистем (СПб., Изд-во "Лань", 2014) гл. 8
Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел (М., Наука, 1967) гл. 18
С.Ю. Давыдов. ФТП, 47, 97 (2013)
С.Ю. Давыдов. ФТП, 45, 1102 (2011)
С.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ, 39 (2), 7 (2013)
С.Ю. Давыдов. ЖТФ, 84 (4), 155 (2014)
S. Mammadov, J. Ristein, J. Krone, C. Raidel, M. Vanke, V. Weismann, F. Speck, T. Seyller. 2D Mater., 4, 015043 (2017)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 1182 (2016)
Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
I. Vurgaftmana, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. Appl. Phys. Rev., 89, 5815 (2001)
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials (N. Y., Wiley, 2001)
D. Wickramaratne, L. Weston, C.G. Van de Walle. J. Phys. Chem. C, 122, 25524 (2018)
E. Vella, F. Messina, M. Cannas, R. Boscaino. Phys. Rev. B, 83, 174201 (2011)
С.С. Некрашевич, В.А. Гриценко. ФТТ, 56, 209 (2014)
С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. ФТТ, 53, 608 (2011)
Г.Б. Двайт. Таблицы интегралов и другие математические формулы (СПб., Изд-во "Лань", 2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель