"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2-300 K
Семакова А.А. 1, Баженов Н.Л. 2, Мынбаев К.Д. 2, Черняев А.В. 2,3,4, Кижаев С.С. 3, Стоянов Н.Д. 3
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
4Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Email: antonina.semakova@itmo.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, chernyaevav@yandex.ru, s.kizhayev@ledmicrosensor.com, ns@ledmicrosensor.com
Поступила в редакцию: 28 января 2021 г.
В окончательной редакции: 3 февраля 2021 г.
Принята к печати: 3 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.

Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью на основе твердых растворов InAsSb и квантовых ям (КЯ) InAsSb/InAs, InAsSb/InAsSbP в интервале температур 4.2-300 K. Определены механизмы протекания тока в зависимости от температуры и параметров слоев гетероструктуры. Показано, что при температурах, близких к 300 K, ток обусловлен диффузионным и рекомбинационным механизмами, в интервале температур 4.2-77 K оказывается существенным вклад туннельного механизма. Для гетероструктуры InAs/InAs/InAs0.15Sb0.31P0.54 установлено возникновение дополнительного канала протекания тока. Показано, что введение 108 КЯ InAs0.88Sb0.12/InAs в активную область гетероструктуры приводит к увеличению токов утечки через гетеропереход во всем рассмотренном диапазоне температур, что, вероятно, связано с туннелированием носителей заряда. Ключевые слова: гетероструктуры, арсенид индия, антимониды, вольт-амперные характеристики.
  1. D. Zymelka, B. Matveev, S. Aleksandrov, G. Sotnikova, G. Gavrilov, M. Saadaoui. Flex. Print. Electron., 2, 045006 (2017)
  2. G.Y. Sotnikova, S.E. Aleksandrov, G.A. Gavrilov. Proc. SPIE, 8073, 80731A (2011)
  3. D. Jung, S. Bank, M.L. Lee, D. Wasserman. J. Optics, 19, 123001 (2017)
  4. D.Z. Ting, A. Soibel, A. Khoshakhlagh, S.A. Keo, B. Rafol, A.M. Fisher, B.J. Pepper, E.M. Luong, C.J. Hill, S.D. Guhapala. Infr. Phys. Technol., 97, 210 (2019)
  5. P.N. Brunkov, N.D. Il'inscaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 73, 232 (2015)
  6. С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный. ФТП, 53, 147 (2019)
  7. А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев. ФТП, 44, 278 (2010)
  8. A. Krier, M. Yin, A.R.J. Marshall, S.E. Krier. J. Electron. Mater., 45, 2826 (2016)
  9. K.D. Mynbaev, A.V. Shilyaev, A.A. Semakova, E.V. Bykhanova, N.L. Bazhenov. Opto-Electron. Rev., 25, 209 (2017)
  10. В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ, 60, 585 (2018)
  11. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  12. В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы (М., Высш. шк., 1987)
  13. A. Krier, Y. Mao. Infr. Phys. Technol., 38, 397 (1997)
  14. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.