Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2-300 K
Семакова А.А.
1, Баженов Н.Л.
2, Мынбаев К.Д.
2, Черняев А.В.
2,3,4, Кижаев С.С.
3, Стоянов Н.Д.
3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
4Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
4Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Email: antonina.semakova@itmo.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, chernyaevav@yandex.ru, s.kizhayev@ledmicrosensor.com, ns@ledmicrosensor.com
Поступила в редакцию: 28 января 2021 г.
В окончательной редакции: 3 февраля 2021 г.
Принята к печати: 3 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.
Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью на основе твердых растворов InAsSb и квантовых ям (КЯ) InAsSb/InAs, InAsSb/InAsSbP в интервале температур 4.2-300 K. Определены механизмы протекания тока в зависимости от температуры и параметров слоев гетероструктуры. Показано, что при температурах, близких к 300 K, ток обусловлен диффузионным и рекомбинационным механизмами, в интервале температур 4.2-77 K оказывается существенным вклад туннельного механизма. Для гетероструктуры InAs/InAs/InAs0.15Sb0.31P0.54 установлено возникновение дополнительного канала протекания тока. Показано, что введение 108 КЯ InAs0.88Sb0.12/InAs в активную область гетероструктуры приводит к увеличению токов утечки через гетеропереход во всем рассмотренном диапазоне температур, что, вероятно, связано с туннелированием носителей заряда. Ключевые слова: гетероструктуры, арсенид индия, антимониды, вольт-амперные характеристики.
- D. Zymelka, B. Matveev, S. Aleksandrov, G. Sotnikova, G. Gavrilov, M. Saadaoui. Flex. Print. Electron., 2, 045006 (2017)
- G.Y. Sotnikova, S.E. Aleksandrov, G.A. Gavrilov. Proc. SPIE, 8073, 80731A (2011)
- D. Jung, S. Bank, M.L. Lee, D. Wasserman. J. Optics, 19, 123001 (2017)
- D.Z. Ting, A. Soibel, A. Khoshakhlagh, S.A. Keo, B. Rafol, A.M. Fisher, B.J. Pepper, E.M. Luong, C.J. Hill, S.D. Guhapala. Infr. Phys. Technol., 97, 210 (2019)
- P.N. Brunkov, N.D. Il'inscaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 73, 232 (2015)
- С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный. ФТП, 53, 147 (2019)
- А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев. ФТП, 44, 278 (2010)
- A. Krier, M. Yin, A.R.J. Marshall, S.E. Krier. J. Electron. Mater., 45, 2826 (2016)
- K.D. Mynbaev, A.V. Shilyaev, A.A. Semakova, E.V. Bykhanova, N.L. Bazhenov. Opto-Electron. Rev., 25, 209 (2017)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ, 60, 585 (2018)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
- В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы (М., Высш. шк., 1987)
- A. Krier, Y. Mao. Infr. Phys. Technol., 38, 397 (1997)
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
