Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO2] и GeO[SiO]
Ministry of Education and Science of the Russian Federation , state contract with ISP SB RAS
Fan Zhang1,2, Черкова С.Г.2, Володин В.А.
1,2
1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия 
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: cherkova@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 5 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 февраля 2021 г.
Принята к печати: 15 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.
Пленки нестехиометрических германосиликатных стекол GeO0.5[SiO2]0.5 и GeO0.5[SiO]0.5 получены соиспарением порошков GeO2 и SiO2, либо GeO2 и SiO, соответственно, и напылением на холодные подложки Si(100) и плавленого кварца в высоком вакууме. Затем пленки подвергались печным отжигам при температуре до 900oC. Наличие и фазовый состав нанокластеров германия в пленках были исследованы с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Трансформация после отжигов окружающей нанокластеры матрицы GeSixOy была исследована с применением фурье-инфракрасной спектроскопии. Как показал анализ спектров комбинационного рассеяния света, отжиг при температуре 800oC привел к образованию нанокристаллов германия (НК-Ge), но содержание аморфной фазы германия составляло до половины объема. После отжига при температуре 900oC аморфные нанокластеры практически полностью кристаллизовались. Размеры НК-Ge зависели от температуры отжигов, состава пленок и от подложки, при этом не наблюдалось формирования нанокристаллов Ge-Si. Ключевые слова: нанокристаллы германия, германосиликатные стекла, кристаллизация.
- А.И. Екимов, А.А. Онущенко. Письма ЖЭТФ, 34, 363 (1981)
- Shoji Furukawa, Tatsuro Miyasato. Phys. Rev. B, 38, 5726 (1988)
- Shinji Hayashi, Minoru Fujii, Keiichi Yamamoto. Jpn. J. Appl. Phys., 28, L1464 (1989)
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- Chen Sun, Mark T. Wade, Yunsup Lee, Jason S. Orcutt, Luca Alloatti, Michael S. Georgas, Andrew S. Waterman, Jeffrey M. Shainline, Rimas R. Avizienis, Sen Lin, Benjamin R. Moss, Rajesh Kumar, Fabio Pavanello, Amir H. Atabaki, Henry M. Cook, Albert J. Ou, Jonathan C. Leu, Yu-Hsin Chen, Krste Asanovic, Rajeev J. Ram, Milov c A. Popovic, Vladimir M. Stojanovic. Nature, 528, 534 (2015)
- Zhenyi Ni, Shu Zhou, Shuangyi Zhao, Wenbing Peng, Deren Yang, Xiaodong Pi. Mater. Sci. Engin. R, 138, 85 (2019)
- Д.А. Ложкина, Е.В. Астрова, Р.В. Соколов, Д.А. Кириленко, А.А. Левин, А.В. Парфеньева, В.П. Улин. ФТП, 55, 373 (2021)
- E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson, L.V. Goncharova. Appl. Phys. Rev., 1, 011302 (2014)
- Y. Maeda, N. Tsukamoto, Y. Yazawa, Y. Kanemitsu, Y. Masumoto. Appl. Phys. Lett., 59, 3168 (1991)
- R. Venkatasubramanian, D.P. Malta, M.L. Timmons, J.A. Hutchby. Appl. Phys. Lett., 59, 1603 (1991)
- Yoshihiko Kanemitsu, Hiroshi Uto, Yasuaki Masumoto, Yoshihito Maeda. Appl. Phys. Lett., 61, 2187 (1992)
- В.А. Володин, Е.Б. Горохов, М.Д. Ефремов, Д.В. Марин, Д.А. Орехов. Письма ЖЭТФ, 77, 485 (2003)
- Е.Б. Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.А. Орехов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, В.А. Швец, А.Г. Борисов, М.Д. Ефремов. ФТП, 39, 1210 (2005)
- M. Ardyanian, H. Rinnert, M. Vergnat. J. Luminesc., 129, 729 (2009)
- M.S. Tokay, E. Yasar, S. Agan, A. Aydi nli. J. Luminesc., 147, 121 (2014)
- S.G. Cherkova, V.A. Volodin, V.A. Skuratov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. J. Luminesc., 207, 209 (2019)
- М.П. Гамбарян, Г.К. Кривякин, С.Г. Черкова, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В.А. Володин. ФТТ, 62, 434 (2020)
- Zhang Fan, С.А. Кочубей, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В.А. Володин. ФТП, 54, 251 (2020)
- V.A. Volodin, G.N. Kamaev, V.A. Gritsenko, A.A. Gismatulin, A. Chin, M. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 114, 233104(1-5) (2019)
- V.A. Volodin, P. Geydt, G. N. Kamaev, A.A. Gismatulin, G.K. Krivyakin, I.P. Prosvirin, I.A. Azarov, Zhang Fan, M. Vergnat. Electronics, 9, 2103(1-17) (2020)
- J.H. Parker, jr., D.W. Feldman, M. Ashkin. Phys. Rev., 155, 712 (1967)
- V.A. Volodin, D.V. Marin, V.A. Sachkov, E.B. Gorokhov, H. Rinnert, M. Vergnat. ЖЭТФ, 145, 77 (2014)
- Zhang Hao, S.A. Kochubei, A.A. Popov, V.A. Volodin. Sol. St. Commun., 313, 113897(1-4) (2020)
- W. Wihl, M. Cardona, J. Tauc. J. Non-Cryst. Sol., 8-10, 172 (1972)
- V.A. Volodin, M.P. Gambaryan, A.G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. Mater. Res. Express, 3, 085019 (2016)
- P.G. Pai, S.S. Chao, Y. Takagi, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. \& Technol. A, 4, 689 (1986)
- D.A. Jishiashvili, E.R. Kutelia. Phys. Status Solidi B, 143, K147 (1987)
- M. Seck, R.A.B. Devine, C. Hernandez, Y. Campidelli, J.-C. Dupuy. Appl. Phys. Lett., 72, 2748 (1998).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
