"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Общее количество статей:

10151

Распределение статей по годам:

1988

517

1989

490

1990

469

1991

411

1992

345

1993

329

1994

302

1995

266

1996

295

1997

311

1998

285

1999

292

2000

278

2001

262

2002

263

2003

259

2004

256

2005

277

2006

251

2007

260

2008

244

2009

294

2010

288

2011

284

2012

279

2013

295

2014

305

2015

301

2016

303

2017

316

2018

330

2019

309

2020

185

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2015 год:

По просмотрам
за последние 2 недели
По просмотрам
за весь период
По активности
авторов
По активности
организаций

Статья

Просмотров

Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов

Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия

Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al₂O₃/n-GaN

Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs

Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd_xHg_1-xTe: учет оже-процессов

Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса

Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия

Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом

Анизотропный смешанный механизм рассеяния дырок в кристаллах Sb₂Te_3-xSe_x (0≤ x≤ 0.1) по данным эффектов Нернста-Эттингсгаузена и Зеебека

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n⁺-InN

Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A^IIB^VI для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой

Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках

Особенности одноосной упругой деформации кристаллов p-Si, облученных рентгеновскими лучами

Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO

Оптические свойства твердых растворов на основе халькогенидов A^IIS, A^IITe

Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото

Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов

Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии

Статья

Просмотров

Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

5336

Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure

4746

Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов

4122

Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом

3084

2784

Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов

2655

2627

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al₂O₃/n-GaN

2619

Properties of antimony doped ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique

2542

Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC

2538

Оптические и структурные свойства ансамблей коллоидных квантовых точек Ag₂S в желатине

2518

Универсальные свойства материалов с дираковским законом дисперсии низкоэнергетических возбуждений

2444

Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования

2397

Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото

2304

Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии

2202

Применение вейвлет-преобразования к задаче обнаружения и определения положений лоренцианов 2D полосы рамановского спектра двухслойного графена

2195

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n⁺-InN

2121

Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si

2117

Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения

2058

Формирование тройных твердых растворов A^IIIB^V на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения

2040

Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO

2036

Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой

2022

Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN

2016

Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках

1992

Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия

1979

Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия

1979

Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке

1948

Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In_xGa_1-xAs со вставками InAs

1875

Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур

1875

Исследования наноразмерных пленок Al₂O₃, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления

1837

1794

Анизотропный шейпинг макропористого кремния

1787

Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире

1778

Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов

1737

Слои Si₃N₄ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN

1718

Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In_0.4Ga_0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства

1715

Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs

1705

Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe

1698

Об оценках температуры плавления графеноподобных соединений

1683

Теория электронной структуры полупроводниковых твердых растворов замещения. Аналитические подходы¹ О б з о р

1680

Влияние поверхностной модификации катализаторами на газовую чувствительность пленок SnO₂+3% SiO₂

1674

Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au

1653

Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов

1650

Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов

1647

Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами

1645

Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе

1643

Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO

1631

Влияние воды и биологически активной среды на различные модификации кремния

1588

High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO

1575

Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах

1567

Автор

Организация

Статей

Теруков Е.И.

ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия

Егоров А.Ю.

Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Гавриленко В.И.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Новиков А.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Максимов М.В.

Якимов Е.Б.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия

Звонков Б.Н.

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Юнин П.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Михайлов Н.Н.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия

Дроздов М.Н.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Брунков П.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Юрасов Д.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Карачинский Л.Я.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Новиков И.И.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Жуков А.Е.

Морозов С.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Алешкин В.Я.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Байдусь Н.В.

Абрамов А.С.

Дворецкий С.А.

Павлов Д.А.

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Вихрова О.В.

Спирин К.Е.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Чалдышев В.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Попов В.В.

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Криштопенко С.С.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Мальцев П.П.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Дорохин М.В.

Румянцев В.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Здоровейщев А.В.

Тарасов И.С.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Иконников А.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Кульбачинский В.А.

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия

Бабичев А.В.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Мынбаев К.Д.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Журавлев К.С.

Дубинов А.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Иванов С.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Галиев Г.Б.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Лаврухин Д.В.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Надточий А.М.

Никитина Е.В.

Неведомский В.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Сахаров А.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Волкова Н.С.

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Калюжный Н.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Лундин В.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Горшков А.П.

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Цацульников А.Ф.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Кудрявцев К.Е.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Организация

Статей

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия

Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия

Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия

Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия

Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия

Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия

Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия

Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия

Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина

Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина

Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша

Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия

Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь

Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия

Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина

Учредители

Издатель