"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9912
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
255

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2015 год:
Статья
Просмотров
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления
36
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов
30
Properties of antimony doped ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique
26
Дисперсия показателя преломления халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95Te5, легированного самарием
25
Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
20
Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN
19
Об оценках температуры плавления графеноподобных соединений
18
Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC
18
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса
17
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации
17
Формирование тройных твердых растворов AIIIBV на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения
16
Оптические и структурные свойства ансамблей коллоидных квантовых точек Ag2S в желатине
16
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов
16
Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb
15
Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм
15
Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)
15
Влияние облучения электронами низких энергий на оптические свойства структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
15
Influence of substrate temperature on structural and optical properties of RF sputtered ZnMnO thin films
15
Нанокластеры кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, a-SiOx : H (0<x<2) О б з о р
14
Возбуждение плазмонных терагерцовых фотогальванических эффектов в периодической двумерной электронной системе методом нарушенного полного внутреннего отражения
14
Статья
Просмотров
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure
4519
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления
4121
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов
3087
Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом
2633
Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов
2245
Properties of antimony doped ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique
2221
Оптические и структурные свойства ансамблей коллоидных квантовых точек Ag2S в желатине
2212
Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC
2159
Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм
2153
Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al2O3/n-GaN
2125
Универсальные свойства материалов с дираковским законом дисперсии низкоэнергетических возбуждений
2110
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса
2097
Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования
2040
Применение вейвлет-преобразования к задаче обнаружения и определения положений лоренцианов 2D полосы рамановского спектра двухслойного графена
1934
Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото
1928
Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si
1871
Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии
1823
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
1812
Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
1731
Формирование тройных твердых растворов AIIIBV на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения
1705
Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN
1682
Исследования наноразмерных пленок Al2O3, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления
1661
Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке
1608
Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой
1604
Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
1586
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия
1583
Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO
1569
Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
1548
Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs
1520
Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe
1485
Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия
1477
Анизотропный шейпинг макропористого кремния
1477
Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства
1475
Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов
1467
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов
1436
Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов
1435
Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au
1419
Об оценках температуры плавления графеноподобных соединений
1417
Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках
1416
Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO
1411
High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO
1408
Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов
1391
Теория электронной структуры полупроводниковых твердых растворов замещения. Аналитические подходы1 О б з о р
1384
Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами
1380
Слои Si3N4 для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
1376
Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах
1352
Влияние воды и биологически активной среды на различные модификации кремния
1342
Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе
1323
Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs
1320
Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния
1307
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
18
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
12
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
11
Якимов Е.Б.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
11
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
11
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
10
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
10
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
8
Абрамов А.С.
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
8
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Попов В.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
7
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Спирин К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Криштопенко С.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Мальцев П.П.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Здоровейщев А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
6
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Дорохин М.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Лаврухин Д.В.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Волкова Н.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Горшков А.П.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
5
Надточий А.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
81
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
44
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
29
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
23
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
18
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
14
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
14
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
13
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
12
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
10
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
9
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
7
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
7
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
6
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
5
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
5
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
5
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
3
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3
Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
2
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2
Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
2
Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2
Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
2
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme