"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9727
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2015 год:
Статья
Просмотров
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления
68
Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al2O3/n-GaN
54
Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур
49
Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия
32
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов
30
Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
30
Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии
29
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса
29
Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования
25
Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм
24
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия
23
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов
23
Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN
23
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
23
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure
23
Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото
22
Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs
22
Люминесценция свежевведенных a-винтовых дислокаций в низкоомном GaN
22
Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом
22
Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au
21
Статья
Просмотров
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure
4287
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления
3298
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов
2629
Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом
2268
Оптические и структурные свойства ансамблей коллоидных квантовых точек Ag2S в желатине
1939
Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов
1916
Properties of antimony doped ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique
1905
Универсальные свойства материалов с дираковским законом дисперсии низкоэнергетических возбуждений
1828
Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC
1806
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса
1748
Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм
1724
Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования
1703
Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото
1663
Применение вейвлет-преобразования к задаче обнаружения и определения положений лоренцианов 2D полосы рамановского спектра двухслойного графена
1649
Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si
1646
Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al2O3/n-GaN
1641
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
1547
Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии
1493
Исследования наноразмерных пленок Al2O3, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления
1457
Формирование тройных твердых растворов AIIIBV на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения
1410
Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN
1392
Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке
1373
Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
1341
Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
1317
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия
1299
Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства
1278
Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой
1272
Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов
1258
Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO
1253
Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe
1246
Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs
1240
Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов
1237
High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO
1236
Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO
1225
Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au
1201
Анизотропный шейпинг макропористого кремния
1197
Теория электронной структуры полупроводниковых твердых растворов замещения. Аналитические подходы1 О б з о р
1194
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов
1192
Об оценках температуры плавления графеноподобных соединений
1183
Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках
1174
Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов
1163
Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами
1156
Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах
1152
Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
1146
Слои Si3N4 для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
1145
Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия
1144
Влияние воды и биологически активной среды на различные модификации кремния
1141
Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния
1131
Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе
1121
Плотность поверхностных состояний в коллоидных нанопластинах CdSe
1107
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
18
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
12
Якимов Е.Б.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
11
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
11
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
10
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
9
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Абрамов А.С.
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
8
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Криштопенко С.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Попов В.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
7
Спирин К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Дорохин М.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Мальцев П.П.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Здоровейщев А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
6
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Климов Е.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Надточий А.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лаврухин Д.В.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Волкова Н.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Горшков А.П.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
79
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
42
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
27
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
17
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
14
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
14
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
13
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
12
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
12
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
10
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
8
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Россия
6
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Саратов, Россия
5
Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
4
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
3
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
3
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
3
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российский академии наук, Новосибирск, Россия
2
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
2
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2
Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme