"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9836
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
179

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2015 год:
Статья
Просмотров
Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
66
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления
58
Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al2O3/n-GaN
45
Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в n-Ge : As вблизи фазового перехода изолятор-металл
38
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов
35
Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
35
Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм
33
Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов
33
Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом
32
Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия
32
Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC
32
Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si
32
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
32
Электронная проводимость в пленках селенида и теллурида германия при ионной имплантации висмутом
31
Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN
30
Оптические свойства твердых растворов на основе халькогенидов AIIS, AIITe
30
Сверхизлучательное усиление терагерцового излучения при возбуждении плазмонных мод в инвертированном графене с планарным распределенным брэгговским микрорезонатором
30
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений AIIBVI для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой
29
Оптические и структурные свойства ансамблей коллоидных квантовых точек Ag2S в желатине
29
Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой
29
Статья
Просмотров
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure
4448
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления
3797
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов
2924
Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом
2480
Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов
2108
Оптические и структурные свойства ансамблей коллоидных квантовых точек Ag2S в желатине
2098
Properties of antimony doped ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique
2096
Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC
2048
Универсальные свойства материалов с дираковским законом дисперсии низкоэнергетических возбуждений
2026
Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм
1985
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса
1970
Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al2O3/n-GaN
1958
Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования
1899
Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото
1835
Применение вейвлет-преобразования к задаче обнаружения и определения положений лоренцианов 2D полосы рамановского спектра двухслойного графена
1834
Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si
1784
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
1718
Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии
1690
Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN
1588
Исследования наноразмерных пленок Al2O3, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления
1588
Формирование тройных твердых растворов AIIIBV на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения
1576
Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке
1524
Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
1504
Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
1475
Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой
1474
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия
1459
Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs
1420
Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe
1411
Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства
1410
Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов
1388
Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO
1384
Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов
1370
Анизотропный шейпинг макропористого кремния
1364
High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO
1361
Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия
1359
Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
1354
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов
1354
Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO
1340
Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au
1339
Об оценках температуры плавления графеноподобных соединений
1338
Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках
1317
Теория электронной структуры полупроводниковых твердых растворов замещения. Аналитические подходы1 О б з о р
1307
Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами
1304
Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов
1300
Слои Si3N4 для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
1286
Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах
1275
Влияние воды и биологически активной среды на различные модификации кремния
1268
Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния
1243
Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе
1233
Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs
1231
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
18
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
12
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
11
Якимов Е.Б.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
11
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
11
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
10
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
10
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
10
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
9
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
9
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
8
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Абрамов А.С.
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
8
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Криштопенко С.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Спирин К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Попов В.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
7
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
6
Мальцев П.П.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Дорохин М.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Здоровейщев А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Волкова Н.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Горшков А.П.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Климов Е.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Надточий А.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
5
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
81
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
44
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
29
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
23
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
18
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
14
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
14
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
13
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
11
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
10
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
9
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
7
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
7
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
6
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
5
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
5
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
5
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДагНЦ РАН, Махачкала, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
3
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3
Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
2
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2
Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
2
Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2
Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
2
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme