"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10577
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
76
Распределение количества просмотров по годам:
579171
543670
526918
471186
407085
391287
361243
320626
394338
499591
494586
452272
451766
459481
443347
458029
478750
487356
426928
454667
425641
546315
556844
548760
522450
566764
569985
548686
521687
480273
379688
276488
152057
60598
3051
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
345
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
279
274
295
249
323
261
89

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2015 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
10
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Якимов Е.Б.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
7
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
7
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Мальцев П.П.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
6
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Климов Е.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Бобров А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Здоровейщев А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
5
Малехонова Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Пирогов А.В.
Харьковский политехнический институт, Харьков, Украина Государственный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
4
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Абрамов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Научно-технический центр тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
4
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Брунков П.Н.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4
Лаврухин Д.В.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Попов В.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дикарева Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Некоркин С.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Волкова Н.С.
Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Горшков А.П.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Дорохин М.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Криштопенко С.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Чалдышев В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Хазанова С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Дегтярев В.Е.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Костылев В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Соколовский И.О.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Феклисова О.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Латышев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гронин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Банная В.Ф.
Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
3
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пушкарёв С.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Кожухов А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Филатов Д.О.
Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур", Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Калентьева И.Л.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Жмерик В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Новиков И.И.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Данилов Ю.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, физический факультет, Нижний Новгород, Россия
3
Козлов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Спирин К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Teppe F.
Laboratoire Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS, GIS-TERALAB, Universite Montpellier II, Montpellier, France
3
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Серебренникова О.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерстнёв В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Садофьев Ю.Г.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Аверьянов Д.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Тихов C.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Фатеев Д.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский национальный исследователький государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сидоров В.Г.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Хрипунов Г.С.
Харьковский политехнический институт, Харьков, Украина Государственный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крюченко Ю.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Галкин Н.Г.
Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
2
Непомнящих А.И.
Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук, Иркутск, Россия
2
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Кучинская П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Армбристер В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Зиновьев В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Кукушкин В.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Klyachkin L.E.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Крайовский В.Я.
Национальный университет Львовская политехника", Львов, Украина
2
Kaczorowski D.
Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
2
Климко Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Европейцев Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Велещук В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Голощапов Д.Л.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
2
Тимошина Н.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Надточий А.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
2
Мадатов Р.С.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Национальная авиационная академия, Баку, Азербайджан
2
Мустафаев Ю.М.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Казаков И.П.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Клочков А.Н.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Хабибуллин Р.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Пономарев Д.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Ормонт М.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Витухновский А.Г.
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Wu Yi-Chen
Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, 700, Kaohsiung University Rd., 811 Kaohsiung, Taiwan
2
Tsai Jung-Hui
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 802 Kaohsiung, Taiwan
2
Chiang Te-Kuang
Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, 700, Kaohsiung University Rd., 811 Kaohsiung, Taiwan
2
Wang Fu-Min
Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, 700, Kaohsiung University Rd., 811 Kaohsiung, Taiwan
2
Алябина Н.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гусейнов Д.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Иванова М.М.
Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.М. Седакова, Нижний Новгород, Россия
2
Бондарев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев М.С.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Байдакова Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Королев С.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Смирнов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Малышева Е.И.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Травкин В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Пахомов Г.Л.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Полищук О.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Еременко М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Асрян Л.В.
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пузанов А.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Козлов В.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Арапов Ю.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Гудина С.В.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Неверов В.Н.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Шелушинина Н.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Якунин М.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Романова Ю.Ю.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Колпаков Д.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Тимофеев В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тийс С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Кудрин А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, физический факультет, Нижний Новгород, Россия
2
Ведь М.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, физический факультет, Нижний Новгород, Россия
2
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бовкун Л.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Knap W.
Laboratoire Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS, GIS-TERALAB, Universite Montpellier II, Montpellier, France
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Керимова Э.М.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Ребане Ю.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шретер Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никитенко В.Р.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
81
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
44
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
29
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
23
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
18
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
14
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
14
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
13
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
12
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
10
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
9
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
7
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
7
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
6
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
5
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
5
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
5
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
4
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
3
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3
Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
3
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
2
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2
Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
2
Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2
Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2