"Физика и техника полупроводников"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Общее количество статей:

9966

Распределение статей по годам:

1988

517

1989

490

1990

469

1991

411

1992

345

1993

329

1994

302

1995

266

1996

295

1997

311

1998

285

1999

292

2000

278

2001

262

2002

263

2003

259

2004

256

2005

277

2006

251

2007

260

2008

244

2009

294

2010

288

2011

284

2012

279

2013

295

2014

305

2015

301

2016

303

2017

316

2018

330

2019

309

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2015 год:

По просмотрам
за последние 2 недели
По просмотрам
за весь период
По активности
авторов
По активности
организаций

Статья

Просмотров

Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC

Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al₂O₃/n-GaN

Дисперсия показателя преломления халькогенидного стеклообразного полупроводника Se₉₅Te₅, легированного самарием

Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм

Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса

Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом

Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования

Формирование наноструктур, стимулированное поверхностными акустическими волнами при наносекундном лазерном облучении CdTe

Анизотропный шейпинг макропористого кремния

Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A^IIB^VI для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой

Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон

Люминесценция дефектов в кремниевых p⁺-n-переходах

Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре

XIX симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. Селективное детектирование УФ-излучения на основе низкоразмерных гетероструктур ZnCdS/ZnMgS/GaP и ZnCdS/ZnS/GaP

Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии

Локализованные в наноструктурах дырки во внешнем магнитном поле: g-фактор и смешивание состояний

Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In_xGa_1-xAs со вставками InAs

Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов

Статья

Просмотров

Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure

4559

Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

4270

Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов

3182

Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом

2709

Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов

2315

Оптические и структурные свойства ансамблей коллоидных квантовых точек Ag₂S в желатине

2279

Properties of antimony doped ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique

2274

2264

Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC

2249

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al₂O₃/n-GaN

2207

2184

Универсальные свойства материалов с дираковским законом дисперсии низкоэнергетических возбуждений

2171

2107

Применение вейвлет-преобразования к задаче обнаружения и определения положений лоренцианов 2D полосы рамановского спектра двухслойного графена

1984

Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото

1975

Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si

1923

Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии

1877

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n⁺-InN

1864

Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения

1789

Формирование тройных твердых растворов A^IIIB^V на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения

1773

Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN

1743

Исследования наноразмерных пленок Al₂O₃, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления

1698

Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке

1668

Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой

1666

Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO

1649

Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур

1648

Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия

1646

1591

Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире

1583

Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия

1543

Анизотропный шейпинг макропористого кремния

1541

Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe

1526

Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In_0.4Ga_0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства

1523

Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов

1514

Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd_xHg_1-xTe: учет оже-процессов

1487

Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов

1478

Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках

1463

Об оценках температуры плавления графеноподобных соединений

1463

Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au

1462

Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO

1450

High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO

1445

Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов

1429

Слои Si₃N₄ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN

1427

Теория электронной структуры полупроводниковых твердых растворов замещения. Аналитические подходы¹ О б з о р

1425

Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами

1419

Влияние воды и биологически активной среды на различные модификации кремния

1394

Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах

1388

Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs

1386

Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе

1367

Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния

1344

Автор

Организация

Статей

Теруков Е.И.

ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия

Егоров А.Ю.

Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Гавриленко В.И.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Новиков А.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Максимов М.В.

Якимов Е.Б.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия

Звонков Б.Н.

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Юнин П.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Михайлов Н.Н.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия

Дроздов М.Н.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Брунков П.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Юрасов Д.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Карачинский Л.Я.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Новиков И.И.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Жуков А.Е.

Морозов С.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Абрамов А.С.

Алешкин В.Я.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Байдусь Н.В.

Дворецкий С.А.

Павлов Д.А.

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Вихрова О.В.

Спирин К.Е.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Чалдышев В.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Попов В.В.

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Криштопенко С.С.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Мальцев П.П.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Дорохин М.В.

Здоровейщев А.В.

Румянцев В.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Тарасов И.С.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Иконников А.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Кульбачинский В.А.

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия

Мынбаев К.Д.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Журавлев К.С.

Дубинов А.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Иванов С.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Галиев Г.Б.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Бабичев А.В.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Надточий А.М.

Лаврухин Д.В.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Никитина Е.В.

Калюжный Н.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Сахаров А.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Волкова Н.С.

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Савельев А.В.

Лундин В.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Горшков А.П.

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Цацульников А.Ф.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Неведомский В.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Организация

Статей

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия

Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия

Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия

Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия

Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия

Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия

Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия

Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия

Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина

Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина

Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша

Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия

Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь

Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия

Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина

Учредители

Издатель