"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2021
- 1 2 3 4
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Общее количество статей:

10328

Распределение статей по годам:

1988

517

1989

490

1990

469

1991

411

1992

345

1993

329

1994

302

1995

266

1996

295

1997

311

1998

285

1999

292

2000

278

2001

262

2002

263

2003

259

2004

256

2005

277

2006

251

2007

260

2008

244

2009

294

2010

288

2011

284

2012

279

2013

295

2014

305

2015

301

2016

303

2017

316

2018

330

2019

309

2020

287

2021

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2015 год:

По просмотрам
за последние 2 недели
По просмотрам
за весь период
По активности
авторов
По активности
организаций

Статья

Просмотров

Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов

Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия

Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов

Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования

Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al₂O₃/n-GaN

Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм

Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si

Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой

Анизотропный шейпинг макропористого кремния

Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия

Оптические свойства твердых растворов на основе халькогенидов A^IIS, A^IITe

Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO

Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах

Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн lambda~ 1550 нм на основе GaSb

Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото

Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n⁺-InN

Статья

Просмотров

Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

6213

Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure

4939

Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов

4864

Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом

3413

3220

Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов

2968

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/ Al₂O₃/n-GaN

2956

Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса

2914

Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC

2805

Properties of antimony doped ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique

2794

Оптические и структурные свойства ансамблей коллоидных квантовых точек Ag₂S в желатине

2746

2645

Универсальные свойства материалов с дираковским законом дисперсии низкоэнергетических возбуждений

2630

Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото

2600

Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии

2472

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n⁺-InN

2449

Применение вейвлет-преобразования к задаче обнаружения и определения положений лоренцианов 2D полосы рамановского спектра двухслойного графена

2446

Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия

2439

Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO

2365

Моды шепчущей галереи в сферическом микрорезонаторе с фотолюминесцентной оболочкой

2340

Формирование тройных твердых растворов A^IIIB^V на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения

2340

Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия

2336

2326

Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения

2323

Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках

2261

Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN

2261

Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd_xHg_1-xTe: учет оже-процессов

2249

Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке

2167

Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In_xGa_1-xAs со вставками InAs

2110

Анизотропный шейпинг макропористого кремния

2077

Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур

2074

Слои Si₃N₄ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN

2004

Исследования наноразмерных пленок Al₂O₃, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления

1984

Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире

1978

Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов

1966

Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs

1953

Теория электронной структуры полупроводниковых твердых растворов замещения. Аналитические подходы¹ О б з о р

1932

Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In_0.4Ga_0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства

1911

Влияние поверхностной модификации катализаторами на газовую чувствительность пленок SnO₂+3% SiO₂

1908

Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе

1893

Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe

1888

Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов

1888

Об оценках температуры плавления графеноподобных соединений

1880

Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами

1867

Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов

1845

Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au

1837

Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO

1810

Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов

1797

Влияние воды и биологически активной среды на различные модификации кремния

1780

Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах

1775

Автор

Организация

Статей

Теруков Е.И.

ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия

Егоров А.Ю.

Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Гавриленко В.И.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Максимов М.В.

Якимов Е.Б.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия

Новиков А.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Звонков Б.Н.

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Юнин П.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Михайлов Н.Н.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия

Карачинский Л.Я.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Новиков И.И.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Жуков А.Е.

Дроздов М.Н.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Юрасов Д.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Брунков П.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Морозов С.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Алешкин В.Я.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Байдусь Н.В.

Дворецкий С.А.

Абрамов А.С.

Павлов Д.А.

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Криштопенко С.С.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Вихрова О.В.

Чалдышев В.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Попов В.В.

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Спирин К.Е.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Кульбачинский В.А.

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия

Мынбаев К.Д.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Журавлев К.С.

Дорохин М.В.

Дубинов А.А.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Иванов С.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Галиев Г.Б.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Иконников А.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Мальцев П.П.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Румянцев В.В.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Здоровейщев А.В.

Бабичев А.В.

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Тарасов И.С.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Цацульников А.Ф.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Калюжный Н.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Васильевский И.С.

Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия

Кудрявцев К.Е.

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Савельев А.В.

Климов Е.А.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Неведомский В.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Лаврухин Д.В.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Надточий А.М.

Никитина Е.В.

Сахаров А.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Организация

Статей

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия

Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия

Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия

Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия

Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь

Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия

Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия

Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия

Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия

Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия

Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина

Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина

Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша

Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия

Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь

Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия

Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина

Учредители

Издатель