Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC

Конакова Р.В.¹, Охрименко О.Б.¹, Светличный А.М², Агеев О.А.², Волков Е.Ю.², Коломийцев А.С.², Житяев И.Л.², Спиридонов О.Б.³

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, Russia

Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, Russia

³Южный лазерный инновационно-технологический центр, Таганрог, Россия

Поступила в редакцию: 4 февраля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведена оценка свойств острийного автоэмиссионного катода, представляющего собой структуру, выполненную в виде острия из карбида кремния, покрытого тонкой пленкой графена. Для острийного катода с графеновым покрытием построены вольт-амперные характеристики в координатах Фаулера-Нордгейма, по наклону которых были рассчитаны величины работы выхода varphi из острийного катода. Показана возможность формирования на острийной поверхности сильно легированного n⁺-SiC методом сублимации низкопороговых автоэмиссионных катодов с низкими пороговыми величинами электрического поля и тока автоэлектронной эмиссии.

Ю.В. Гуляев. Вестник РAH, 73 (5), 389 (2003)
M. Acik, Y.J. Chabal. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 070101 (2011)
А.А. Лебедев, И.С. Конусова, А.В. Лаврентьев, С.П. Лебедев, И.В. Макаренко, В.Н. Петров, А.Н. Титков. ФTT, 51, 783 (2009)
А.А. Лебедев, И.С. Котоусова, А.В. Лаврентьев. ФTT, 52 (4), 799 (2010)
Р.В. Конакова, А.Ф. Коломыс, О.Б. Охрименко, В.В.Стрельчук, Е.Ю.Волков,М.Н. Григорьев, А.М.Светличный, О.Б. Спиридонов. ФTП, 47 (6), 802 (2013)
G.M. Rutter, N.P. Guisinger, J.N. Crain. Phys. Rev. B, 76, 235 416 (2007)
J. Kedzierski, P. Hsu, P. Healey. IEEE Trans. Electron Dev., 55 (8), 2078 (2008)
O.A. Ageev, A.S. Kolomiytsev, B.G. Konoplev, Semiconductors, 45 (13), 1709 (2011)
H. Hibino, H. Kageshima, M. Nagase. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 374 005 (2010)
Г.Н. Фурсей, В.И. Петрик, Д.В. Новиков. ЖТФ, 79 (7), 122 (2009)
Г.Н. Фурсей, М.А. Поляков, А.А. Кантонистов, А.М. Яфясов, Б.С. Павлов, В.Б. Божевольнов. ЖТФ, 83 (6), 71 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель