Магнетронным напылением на холодные подложки нанесены тонкие пленки оксида индия и олова (ITO). Исследованы зависимости их структурных, электрических и оптических свойств от содержания кислорода в атмосфере напыления и скорости роста. Показано, что при температурах подложек, не превышающих температуру кристаллизации ITO, при отклонении от оптимального соотношения между давлением кислорода и скоростью роста пленки сопротивление слоев может на 6-7 порядков превосходить сопротивление проводящих аморфных слоев и достигать сотен МОм. При этом оптические свойства изолирующих слоев в видимой области спектра практически полностью идентичны свойствам проводящей аморфной модификации. Предложена концептуальная модель дефектов, ответственных за диэлектрические свойства аморфного ITO.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.