"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования
Георгобиани В.А.1, Гончар К.А.1, Осминкина Л.А.1, Тимошенко В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Методами электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции исследованы слои кремниевых нанонитей, выращенных металл-стимулированным травлением монокристаллических кремниевых подложек p-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 и 0.001 Omega·см и ориентацией поверхности (100). Установлено, что нанонити, выращенные на слабо легированных подложках, имеют непористую структуру в виде кристаллических остовов, покрытых нанокристаллами с размерами 3-5 нм. Нанонити, выращенные на сильно легированных подложках, имеют пористую структуру и содержат как малые нанокристаллы, так и более крупные кристаллиты с равновесными носителями заряда, которые влияют на межзонную излучательную рекомбинацию. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции нанонитей в диапазоне спектра 1.3-2.0 эВ зависит от присутствия молекулярного кислорода.
  • M.S. Gudiksen, L.J. Lauhon, J. Wang, D.C. Smith, C.M. Lieber. Nature, 415, 617 (2002)
  • E. Garnett, P. Yang. Nano Lett., 10, 1082 (2010)
  • V. Sivakov, G. Andra, A. Gawlik, A. Berger, J. Plentz, F. Falk, S.H. Christiansen. Nano Lett., 9, 1549 (2009)
  • N. Elfstrom, A.E. Karlstrom, J. Linnros. Nano Lett., 8 (3), 945 (2008)
  • Y. Qu, H. Zhoua, X. Duan. Nanoscale, 3, 4060 (2011)
  • M.D. Kelzenberg, D.B. Turner-Evans, B.M. Kayes, M.A. Filler, M.C. Putnam, N.S. Lewis, H.A. Atwater. Nano Lett., 8, 710 (2008)
  • Y. Cui, Q. Wei, H. Park, C.M. Lieber. Science, 293, 1289 (2001)
  • M. Lv, S. Su, Y. He, Q. Huang, W. Hu, D. Li, C. Fan, S.-T. Lee. Adv. Mater., 22 (48), 5463 (2010)
  • R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  • J.E. Allen, E.R. Hemesath, D.E. Perea, J.L. Lensch-Falk, Z.Y. Li, F. Yin, M.H. Gass, P. Wang, A.L. Bleloch, R.E. Palmer, L.J. Lauhon. Nature Nanotechnol., 3, 168 (2008)
  • V.A. Sivakov, G. Bronstrup, B. Pecz, A. Berger, G.Z. Radnoezi, M. Krause, S.H. Christiansen. J. Phys. Chem. C, 114, 3798 (2010)
  • M.L. Zhang, K.Qi. Peng, X. Fan, J.S. Jie, R.Q. Zhang, S.T. Lee, N.B. Wong J. Phys. Chem. C, 112, 4444 (2008)
  • Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. de Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23, 285 (2011)
  • V.A. Sivakov, F. Voigt, A. Berger, G. Bauer and S.H. Christiansen. Phys. Rev. B, 82, 125 446 (2010)
  • V.Yu. Timoshenko, K.A. Gonchar, L.A. Golovan, A.I. Efimova, V.A. Sivakov, A. Dellith, S.H. Christiansen. J. Nanoelectron. Optoelectron., 6, 519 (2011)
  • К.А. Гончар, Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, В.А. Сиваков, С. Кристиансен. Изв. РАН. Сер. физ., 74, 1782 (2010)
  • L.A. Osminkina, K.A. Gonchar, V.S. Marshov, K.V. Bunkov, D.V. Petrov, L.A. Golovan, F. Talkenberg, V.A. Sivakov, V.Yu. Timoshenko. Nanoscale Res. Letters., 7, 524 (2012)
  • К.В. Буньков, Л.А. Головань, К.А. Гончар, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, M. Kulmas, V. Sivakov. ФТП, 47, 329 (2013)
  • L.A. Golovan, K.A. Gonchar, L.A. Osminkina, V.Yu. Timoshenko, G.I. Petrov, V.V. Yakovlev. Laser Phys. Lett., 9, 145 (2012)
  • К.А. Гончар, Л.А. Осминкина, В. Сиваков, В. Лысенко, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 48 (12), 1654 (2014)
  • K.A. Gonchar, L.A. Osminkina, R.A. Galkin, M.B. Gongalsky, V.S. Marshov, V.Yu. Timoshenko, M.N. Kulmas, V.V. Solovyev, A.A. Kudryavtsev, V.A. Sivakov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 7, 602 (2012)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Wiley, 1981)
  • I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739, (1986)
  • D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 215, 871, (1999)
  • A.E. Miroshnichenko, S. Flach, Yu.S. Kivshar. Rev. Mod. Phys., 82, 2257 (2010)
  • П.Ю.М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) [Пер. с англ.: P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of semiconductors: physics and materials properties (Springer-Verlag, Berlin, 1996)]
  • М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 36 (3), 344 (2002)
  • C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)
  • A.G. Gullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  • G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud. Appl. Phys. Lett., 80 (25), 4834 (2002)
  • П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 30 (8), 1479 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.