Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 8 » Статья стр. 1043
<<<>>>
Гетероструктуры AlxGa1-xAs/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда
Середин П.В.1, Голощапов Д.Л.1, Леньшин А.С.1, Терновая В.Е.1, Арсентьев И.Н.2, Николаев Д.Н.2, Тарасов И.С.2, Шамахов В.В.2, Попов А.В.3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники", Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
PDF версия
Структурными и спектроскопическими методами были изучены эпитаксиальные слои твердых растворов AlxGa1-xAs с n-типом проводимости, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что при легировании твердых растворов AlxGa1-xAs углеродом на уровне (1.2 - 6.7)·1017 см-3 подвижность электронов оказалась аномально высокой для данной концентрации примеси и превосходила расчетную величину в 2 раза. Высказано предположение, что упорядоченное расположение углерода в металлической подрешетке твердого раствора приводит к изменению среднего расстояния между ионами примеси, т. е. к увеличению длины свободного пробега носителей заряда и, следовательно, величины подвижности носителей. Обнаруженный эффект имеет непосредственное практическое значение при поиске различных технологических методов повышения быстродействия функциональных элементов современной оптоэлектронной базы. Эффект аномально высокой подвижности носителей заряда в эпитаксиальном слое гетеропары предоставляет новые возможности по созданию новых структур на основе соединений AlxGa1-xAs.
  1. Jesus A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  2. N. Sahoo, T. Sahu. J. Appl. Phys., 116, 043 703 (2014)
  3. B. Ketterer, E. Uccelli, A. Fontcuberta i Morral. Nanoscale, 4, 1789 (2012)
  4. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
  5. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (12), 2694 (2010)
  6. G. Timo, C. Flores, R. Campesato. Cryst. Res. Technol., 40, 10 (2005)
  7. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, В.Е. Терновая, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2054 (2013)
  8. П.В. Середин, В.Е. Терновая, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, H. Leiste, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2047 (2013) [Phys. Solid State, 55 (10), 2161 (2013)]
  9. J. Mimila-Arroyo, S.W. Brand. Appl. Phys. Lett., 77, 1164 (2000)
  10. C. Monier, A.G. Baca, S.Z. Sun, E. Armour, F. Newman, H.Q. Hou. Appl. Phys. Lett., 81, 2103 (2002)
  11. T. Takamoto, T. Agui, E. Ikeda. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 66, 511 (2001)
  12. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич. ФТП, 47 (1), 9 (2013) [Semiconductors, 47 (1), 7 (2013)]
  13. П.В. Середин, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров. ФТП, 48 (1), 23 (2014) [Semiconductors, 48 (1), 21 (2014)]
  14. P.V. Seredin. Phys. Research Intern., 2014, 782 357 (2014)
  15. M. Razeghi. The MOCVD Challenge: A survey of GaInAsP-InP and GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications, edn. 2 (CRC Press, 2010).
  16. D. Jena, A. Konar. Phys. Rev. Lett., 98, 136 805 (2007)
  17. S. Adachi, P. Capper, S. Kasap, A. Willoughby. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, 2009)
  18. J. Di az-Reyes, R. Castillo-Ojeda, M. Galvan-Arellano, R. Pena-Sierra. Superficies y Vaci o, 15, 22 (2002)
  19. V. Umansky, R. de-Picciotto, M. Heiblum. Appl. Phys. Lett., 71 (5), 683 (1997)
  20. F. Bosc, J. Sicart, J.L. Robert. Semicond. Sci. Technol., 14, 64 (1999)
  21. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Analysis, 38 (4), 828 (2006)
  22. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (4), 488 (2011) [Semiconductors, 45 (4), 481 (2011)]
  23. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (8), 1140 (2010) [Semiconductors, 44 (8), 1106 (2010)]
  24. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (11), 1489 (2011) [Semiconductors, 45 (11), 1433 (2011)]
  25. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, А.С. Леньшин, М.С. Смирнов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (6), 739 (2012) [Semiconductors, 46 (6), 719 (2012)]
  26. Yu.A. Goldberg. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Scientific, London, 1999) v. 2, p. 1
  27. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (22), 4607 (2010)
  28. К.В. Шалимова. Физика полупроводников, 4-е изд. (СПб., Лань, 2010)
  29. H.D. Chen, M.S. Feng, K.C. Lin, P.A. Chen, C.C. Wu, J.W. Wu. J. Appl. Phys., 75, 5453 (1994)
  30. M. Grundmann. The Physics of Semiconductors: An Introduction Including Nanophysics and Applications, 2nd edn. (Springer, 2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme