Вышедшие номера
Глубокие центры в структурах TiO2-Si
Калыгина В.М.1, Петрова Ю.С.1, Прудаев И.А.1, Толбанов О.П.1, Цупий С.Ю.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Изучено влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл-TiO2-Si. Пленки TiO2 получали магнетронным высокочастотным распылением мишени оксида титана на ненагретые подложки n-Si. Прямые и обратные токи структур после отжига в аргоне при 500oC были меньше, чем после отжига при 750oC. Обработка пленок диоксида титана в кислородной плазме приводила к снижению токов независимо от температуры отжига. Предполагается, что вольт-амперные характеристики структур TiO2-Si могут быть описаны в рамках модели токов, ограниченных пространственным зарядом. Фотоэлектрические характеристики образцов исследовали, используя свет с длиной волны lambda=400 нм. В структурах TiO2-Si после отжига при 500oC без экспозиции в кислородной плазме обнаружена замороженная фотопроводимость. Время релаксации составляет (23±2) мин.