Вышедшие номера
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Брунков П.Н.3,4, Жмерик В.Н.3, Иванов С.В.3, Капитанчук Л.М.5, Конакова Р.В.1, Кладько В.П.1, Сай П.О.1, Сафрюк Н.В.1, Шеремет В.Н.1, Романец П.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Измерены температурные зависимости удельного контактного сопротивления (rhoc) омических контактов на основе системы Au-Ti-Pd-InN при уровне легирования InN 2·1018 см-3, в диапазоне температур от 4.2 до 300 K. При температурах T>150 K получены линейно растущие зависимости rhoc(T). Зависимости объяснены в рамках механизма протекания термоэмиссионного тока через металлические шунты, сопряженные с дислокациями. Достигнуто хорошее согласие теоретических зависимостей с экспериментом. Оно получено в предположениях, что протекающий ток ограничивается суммарным сопротивлением металлических шунтов, а плотность проводящих дислокаций составляет ~ 5·109 см-2. Методом рентгеновской дифрактометрии измерена плотность винтовых и краевых дислокаций в исследованной структуре, и установлено, что их суммарная плотность превышает 1010 см-2.