Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм

Егоров А.Ю.^1,2,3, Карачинский Л.Я.^1,2,3, Новиков И.И.^1,2,3, Бабичев А.В.^1,2,3, Неведомский В.Н.¹, Бугров В.Е.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия Connector Optics LLC, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложены возможные концепции реализации длинноволновых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм на подложках GaAs. Показана возможность формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии метаморфной гетероструктуры GaAs-InGaAs с тонким буферным слоем, обеспечивающим быстрый переход от постоянной решетки подложки GaAs к постоянной решетки эпитаксиального метаморфного слоя In_xGa_1-xAs с долей индия x>0.3. Исследования методами просвечивающей электронной микроскопии показали эффективную локализацию дислокаций несоответствия в области тонкого буферного слоя и практически полное подавление проникновения дислокаций в вышележащий метаморфный слой InGaAs.

A.W. Naji, B.A. Hamida, X.S. Cheng, M.A. Mahdi, S. Harun, S. Khan, W.F. Al-Khateeb, A.A. Zaidan, B.B. Zaidan, H. Ahmad. Int. J. Phys. Sci., 6 (20), 4674 (2011)
M. Yano, H. Imai, M. Tukusagawa. J. Appl. Phys., 52, 3172 (1981)
H. Ishikawa, I. Suemune. IEEE Photon. Technol. Lett., 6, 344 (1994)
D. Pasquariello, E. Staffan Bjorlin, D. Lasaosa, Yi.-Jen Chiu, J. Piprek, John E. Bowers. J. Lightwave Technol., 24, 1470 (2006)
R. Shau, M. Ortsiefer, J. Rosskopf, G. Bohm, C. Lauer, M. Maute, M.-C. Amann. Proc. SPIE, 5364, 1 (2004)
E. Kapon, A. Sirbu. Nature Photon., 3, 27 (2009)
T. Kettler, L.Y. Karachinsky, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, D. Bimberg, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. Appl. Phys. Lett., 89 (4), 041113 (2006)
М.А. Бобров, С.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, Н.А .Малеев, A.А. Блохин, Ю.М. Задиранов, Е.В. Никитина, В.М. Устинов. ФТП, 48 (12), 1697 (2014)
А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.В. Бабичев, Т.Н. Березовская, В.Н. Неведомский. ФТП, 49, 1434 (2015)
R.L. Woo, W.D. Hong, S. Mesropian, M.S. Leite. 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., PVSC (2011) p. 000295
H. Gebretsadik, K. Kamath, W.-D. Zhou, P. Bhattacharya, C. Caneau, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 72 (2), 135 (1998)
L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, M.A. Bobrov, J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, J.-R. Kropp, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 28 (6), 065010 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель