Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения

Цацульников А.Ф.^1,2, Лундин В.В.^1,2, Сахаров А.В.^1,2, Заварин Е.Е.¹, Усов С.О.^1,2, Николаев А.Е.^1,2, Синицын М.А.¹, Черкашин Н.А.³, Карпов С.Ю.⁴

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³CEMES-CNRS--Universite de Toulouse, Toulouse, France
⁴OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия Soft-Impact Ltd, Saint-Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы конструктивные особенности светодиодных гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с монолитной InGaN/GaN активной областью, содержащей несколько квантовых ям InGaN, излучающих при различных длинах волн. Продемонстрирована возможность увеличения количества полос излучения до трех за счет увеличения числа осажденных InGaN квантовых ям с различным содержанием индия. Падение эффективности с увеличением числа КЯ в области высоких токов составляет приблизительно 30%. Изучены зависимости оптических свойств гетероструктур в зависимости от числа осажденных квантовых ям и типов барьеров между ними (слой GaN или короткопериодная InGaN/GaN сверхрешетка). Показано, что отношение интенсивностей линий излучения изменяется в широких пределах с изменением тока через структуру и сильно зависит от типа и толщины барьеров между квантовыми ямами.

E.F. Schubert. Light-emitting diodes. (Cambridge University Press, N. Y., 2003)
A. Zukauskas, M. Shur, R. Gaska. Introduction to Solid-State Lighting (J. Wiley \& Sons, N. Y., 2002)
А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.В. Крыжановская, М.А. Синицын, В.С. Сизов, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров. ФТП, 44, 837 (2010)
А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44, 96 (2010)
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, G.A. Valkovskiy, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, N.V. Kryzhanovskaya, V.S. Sizov, P.N. Brunkov, A.L. Zakgeim, A.E. Cherniakov, N.A. Cherkashin, M.J. Hytch, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, M.M. Rozhavskaya, A.F. Tsatsulnikov. JCG, 315, 267 (2011)
Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, М.М.Павлов, Н.А. Черкашин, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов. ФТП, 44, 857 (2010)
А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.С. Сизов, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen. ФТП, 45, 274 (2011)
M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
Simulator for Light Emitters based on Nitride Semiconductors (SiLENSe)-software tool for light emitting diode bandgap engineering. http://www.softimpact.ru/silense.php
K.A. Bulashevich, A.V. Kulik, S.Yu. Karpov. Phys. Status Solidi A, 1 (2014). DOI: 10.1002/pssa.201431576
Shinji Saito, Rei Hashimoto, Jongil Hwang, Shinya Nunoue. Appl. Phys. Express, 6, 111 004 (2013)
Jong-Il Hwang, Rei Hashimoto, Shinji Saito, Shinya Nunoue. Appl. Phys. Express, 7, 071 003 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель