"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Заварин Е.Е.1, Усов С.О.1,2, Николаев А.Е.1,2, Синицын М.А.1, Черкашин Н.А.3, Карпов С.Ю.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3CEMES-CNRS--Universite de Toulouse, Toulouse, France
4ООО Софт-Импакт, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Исследованы конструктивные особенности светодиодных гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с монолитной InGaN/GaN активной областью, содержащей несколько квантовых ям InGaN, излучающих при различных длинах волн. Продемонстрирована возможность увеличения количества полос излучения до трех за счет увеличения числа осажденных InGaN квантовых ям с различным содержанием индия. Падение эффективности с увеличением числа КЯ в области высоких токов составляет приблизительно 30%. Изучены зависимости оптических свойств гетероструктур в зависимости от числа осажденных квантовых ям и типов барьеров между ними (слой GaN или короткопериодная InGaN/GaN сверхрешетка). Показано, что отношение интенсивностей линий излучения изменяется в широких пределах с изменением тока через структуру и сильно зависит от типа и толщины барьеров между квантовыми ямами.
  1. E.F. Schubert. Light-emitting diodes. (Cambridge University Press, N. Y., 2003)
  2. A. Zukauskas, M. Shur, R. Gaska. Introduction to Solid-State Lighting (J. Wiley \& Sons, N. Y., 2002)
  3. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.В. Крыжановская, М.А. Синицын, В.С. Сизов, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров. ФТП, 44, 837 (2010)
  4. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44, 96 (2010)
  5. W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, G.A. Valkovskiy, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, N.V. Kryzhanovskaya, V.S. Sizov, P.N. Brunkov, A.L. Zakgeim, A.E. Cherniakov, N.A. Cherkashin, M.J. Hytch, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, M.M. Rozhavskaya, A.F. Tsatsulnikov. JCG, 315, 267 (2011)
  6. Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, М.М.Павлов, Н.А. Черкашин, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов. ФТП, 44, 857 (2010)
  7. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.С. Сизов, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen. ФТП, 45, 274 (2011)
  8. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  9. Simulator for Light Emitters based on Nitride Semiconductors (SiLENSe)-software tool for light emitting diode bandgap engineering. http://www.softimpact.ru/silense.php
  10. K.A. Bulashevich, A.V. Kulik, S.Yu. Karpov. Phys. Status Solidi A, 1 (2014). DOI: 10.1002/pssa.201431576
  11. Shinji Saito, Rei Hashimoto, Jongil Hwang, Shinya Nunoue. Appl. Phys. Express, 6, 111 004 (2013)
  12. Jong-Il Hwang, Rei Hashimoto, Shinji Saito, Shinya Nunoue. Appl. Phys. Express, 7, 071 003 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.