"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC
Иванов П.А.1, Коньков О.И.1, Самсонова Т.П.1, Потапов А.С.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Экспериментально исследованы динамические характеристики 4H-SiC p+-p-n0-n+-диодов в импульсных режимах, характерных для работы дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ). Детально изучен эффект субнаносекундного обрыва обратного тока, поддерживаемого электронно-дырочной плазмой, предварительно накачанной импульсом прямого тока. Показано и объяснено влияние на ДДРВ-эффект амплитуды импульсов обратного напряжения, амплитуды и длительности импульсов прямого тока, временной задержки обратного импульса относительно прямого.
  1. И.В. Грехов, Г.А. Месяц. УФН, 175, 735 (2005)
  2. И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 28, 24 (2002)
  3. I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Sol. St. Electron., 47, 1769 (2003)
  4. A.V. Afanasyev, B.V. Ivanov, V.A. Ilyin, A.V. Kardo-Sysoev, M.A. Kuznetsova, V.V. Luchinin. Mat. Sci. Forum., 740-- 742, 1010 (2013)
  5. П.А. Иванов, И.В. Грехов. ФТП, 46, 544 (2012)
  6. П.А. Иванов, И.В. Грехов. ЖТФ, 85, 111 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.