"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнительный анализ влияния электронного и дырочного захвата на мощностные характеристики полупроводникового лазера
Соколова З.Н.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Асрян Л.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Поступила в редакцию: 21 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Проведено сравнение рабочих характеристик полупроводникового лазера с квантовой ямой в активной области, рассчитанных с использованием трех моделей: модели, не учитывающей различий между электронными и дырочными параметрами и использующей электронные параметры для обоих типов носителей заряда; модели, не учитывающей различий между электронными и дырочными параметрами и использующей дырочные параметры для обоих типов носителей заряда; модели, учитывающей асимметрию электронных и дырочных параметров. Показано, что при одинаковых скоростях захвата электронов и дырок в пустую квантовую яму лазерные характеристики, полученные с использованием трех моделей, сильно различаются. Эти различия являются следствием различного заполнения электронами и дырками подзон размерного квантования в квантовой яме. Электронная подзона является более заполненной, чем дырочная, в результате чего при одинаковых скоростях захвата в пустую квантовую яму эффективная скорость электронного захвата меньше, чем эффективная скорость дырочного захвата. Показано, в частности, что для исследованной лазерной структуры скорость захвата дырок в пустую квантовую яму 5·105 см/с и соответствующая ей скорость захвата электронов 3·106 см/с описывают быстрый захват этих носителей, при котором ватт-амперная характеристика лазера остается практически линейной вплоть до высоких плотностей тока накачки. Скорость же захвата электронов 5·105 см/с и соответствующая ей скорость захвата дырок 8.4·104 см/с описывают медленный захват этих носителей, приводящий к существенной сублинейности ватт-амперной характеристики.
  1. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. Appl. Phys. Lett., 81, 2154 (2002)
  2. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 39, 404 (2003)
  3. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 45, 1553 (2011)
  4. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 46, 1067 (2012)
  5. L.V. Asryan, Z.N. Sokolova. J. Appl. Phys., 115, 023107 (2014)
  6. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. Квант. электрон., 44, 801 (2014)
  7. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 928 (1991)
  8. А.В. Лютецкий, К.С. Борщёв, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 42, 106 (2008)
  9. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991)
  10. Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35, 1117 (2005)
  11. K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
  12. L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83, 5368 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.