"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование тройных твердых растворов AIIIBV на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения
Васильев В.И.1,2, Гагис Г.С.1, Кучинский В.И.1,3, Данильченко В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Рассмотрены процессы образования сверхтонких слоев тройных твердых растворов AIIIBV за счет подачи паров элементов пятой группы к полупроводниковым пластинам GaAs и GaSb, в приповерхностных областях которых происходят твердофазные реакции замещения. Данный способ позволяет формировать бездефектные слои GaAs1-xPx, GaAsxSb1-x и GaPxSb1-x толщинами 10-20 нм и с содержанием внедряемых компонентов x до 0.04.
  1. М.Б. Паниш, М. Илегемс. Материалы для оптоэлектроники. Сб. статей (М., Мир, 1979) гл. 2, с. 54
  2. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 27, 21 (1974)
  3. В.П. Васильев, Ж.-К. Гашон. Неорг. Матер., 42, 1293 (2006)
  4. В.И. Васильев, Г.С. Гагис, В.И. Кучинский, В.П. Хвостиков, Е.П. Марухина. ПЖТФ, 39 (10), 49 (2013)
  5. Физические величины. Справочник, под. ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991) с. 255--265
  6. A.S. Jordan. J. Electrochem. Soc., 119 (1), 123 (1972)
  7. V.I. Vasil'ev, G.S. Gagis, K.K. Soboleva, V.I. Kuchinskii. J. Phys.: Conf. Ser., 572, 012 033 (2014)
  8. G.S. Gagis, V.I. Vasil'ev, A.G. Deryagin, V.V. Dudelev, A.S. Maslov, R.V. Levin, B.V. Pushnyi, V.M. Smirnov, G.S. Sokolovskii, G.G. Zegrya, V.I. Kuchinskii. Semicond. Sci. Technol., 23, 125 026 (2008)
  9. J.W. Cahn. Acta Metall., 9, 795 (1961)
  10. V.I. Vasil'ev, I.P. Nikitina, V.M. Smirnov, D.N. Tretyakov. Mater. Sci. Eng. B, 66 (1--3), 67 (1999)
  11. В.И. Васильев, Д. Ахмедов, А.Г. Дерягин, В.И. Кучинский, И.П. Никитина, В.М. Смирнов, Д.Н. Третьяков. ФТП, 33(9), 1134 (1999). [V.I. Vasil'ev, D. Akhmedov, A.G. Deryagin, V.I. Kuchinskii, I.P. Nikitina, V.M. Smirnov, D.N. Tret'yakov. Semiconductors, 33 (9), 1034 (1999)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.