"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д.1,2, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

В рамках микроскопической модели анализируется температурная зависимость времени жизни носителей заряда в твердых растворах CdxHg1-xTe в температурном диапазоне 5<T<300 K для составов с узкой запрещенной зоной. Основное внимание уделено анализу механизма оже-рекомбинации, который определяет время жизни при высоких температурах. Выполнен расчет скорости оже-рекомбинации с учетом особенностей зонной структуры узкощелевого полупроводника в рамках микроскопической теории. Показано, что строгий учет непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках модели Кейна приводит к существенно другой температурной зависимости скорости оже-рекомбинации по сравнению с полученной в рамках подхода, в котором непараболичность не учитывается.
  1. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  2. Д.Г. Икусов, Ф.Ф. Сизов, С.В. Старый, В.В. Тетеркин. ФТП, 41, 134 (2007)
  3. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  4. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ им. Б.П. Константинова, 1997)
  5. Б.Л. Гельмонт. ФТП, 15, 1316 (1981)
  6. T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 52, 848 (1981)
  7. S. Krishnamurthy, A. Sher, A.-B. Chen. J. Appl. Phys., 82, 5540 (1997)
  8. Y. Chang, C.H. Grein, J. Zhao, C.R. Becker, M.E. Flatte, P.-K. Liao, F. Aqariden, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett., 93, 192 111 (2008)
  9. C.H. Grein, M.E. Flatt, Y. Chang. J. Electron. Mater., 37, 1415 (2008)
  10. L. Mollard, G. Bourgeois, C. Lobre, S. Gout, S. Viollet-Bosson, N. Baier, G. Destefanis, O. Gravrand, J.P. Barnes, F. Milesi, A. Kerlain, L. Rubaldo, A. Manissadjian. J. Electron. Mater., 43, 802 (2014)
  11. K. Jozwikowski, M. Kopytko, A. Rogalski. J. Appl. Phys., 112, 033 718 (2012)
  12. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104, 072 102 (2014)
  13. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.В. Шиляев, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.Г. Ремесник, В.С. Варавин. ЖТФ, 83 (10), 147 (2013)
  14. F. Bertazzi, M. Goano, E. Bellotti. J. Electron. Mater., 40, 1663 (2011)
  15. Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75 (2(8)), 536 (1978)
  16. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах. (СПб., Наука, 2001)
  17. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101 (1), 327 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.