Вышедшие номера
Слои Si3N4 для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
Юнин П.А.1,2, Дроздов Ю.Н.1,2, Дроздов М.Н.1,2, Королев С.А.1, Охапкин А.И.1,2, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Описывается метод in situ пассивации структур на основе GaN слоем нитрида кремния в ростовой камере установки металлоорганической газофазной эпитаксии. Исследуются структурные и электрофизические свойства полученных слоев. Проводится сравнение пассивации транзисторных структур нитридом кремния in situ и ex situ в установке электронно-лучевого распыления. Показано, что ex situ пассивация не меняет исходную концентрацию и подвижность носителей в канале. Пассивация in situ позволяет защищать поверхность структуры от неконтролируемых изменений при завершении роста и извлечении в атмосферу. Также в пассивированной in situ структуре происходит увеличение концентрации и уменьшение подвижности носителей. Этот эффект необходимо учитывать при изготовлении пассивированных транзисторных структур на основе GaN.