Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Слои Si3N4 для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.
Описывается метод in situ пассивации структур на основе GaN слоем нитрида кремния в ростовой камере установки металлоорганической газофазной эпитаксии. Исследуются структурные и электрофизические свойства полученных слоев. Проводится сравнение пассивации транзисторных структур нитридом кремния in situ и ex situ в установке электронно-лучевого распыления. Показано, что ex situ пассивация не меняет исходную концентрацию и подвижность носителей в канале. Пассивация in situ позволяет защищать поверхность структуры от неконтролируемых изменений при завершении роста и извлечении в атмосферу. Также в пассивированной in situ структуре происходит увеличение концентрации и уменьшение подвижности носителей. Этот эффект необходимо учитывать при изготовлении пассивированных транзисторных структур на основе GaN.
- P. Ruterana, G. Nouet. Phys. Status Solidi B, 227, 177 (2001)
- S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
- K. Sarpatwari, S.E. Mohney, O.O. Awadelkarim. J. Appl. Phys., 109, 014 510 (2011)
- E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84, 535 (2004)
- J.Kotani, T.Hashizume, H.Hasegawa. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2179 (2004)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41, 1281 (2007)
- T. Hashizume, S. Ootomo, H. Hasegawa. Appl. Phys. Lett., 83, 2952 (2003)
- C.X. Wang, N. Maeda, M. Hiroki, T. Tawara, T. Makimoto, T. Kobayahsi, T. Enoki. J. Electron. Mater., 34 (4), 361 (2004)
- S. Faramehr, K. Kalna, P. Igic. Semicond. Sci. Technol., 29, 025 007 (2014)
- S.C. Binari, P.B. Klein, T.E. Kazior. Proc. IEEE, 90 (6), 1048 (2007)
- W. Lu, V. Kumar, R. Schwindt, E. Piner, I. Adesida. Solid-State Electron., 46, 1441 (2002)
- S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 613 (2004)
- R. Wang, Y. Cai, C.-W. Tang, K.M. Lau, K.J. Chen. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (10), 793 (2006)
- C. Bae, C. Krug, G. Lucovsky, A. Chakraborty, U. Mishra. J. Appl. Phys., 96 (5), 2674 (2004)
- J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M.R. Leys, M. Germain, G. Borghs. J. Appl. Phys., 98, 054 501 (2005)
- Ok-Hyun Nam, M.D. Bremser, T.S. Zheleva, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 71, 2638 (1997)
- О.И. Хрыкин, А.В. Бутин, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 39, 21 (2005)
- S. Wolf, R. Tauber. Silicon Processing for the VLSI Era (Sunset Beach, Lattice Press, 1986)
- C. Adelmann, J. Brault, G. Mula, D. Daudin, L. Lymperakis, J. Neugebauer. Phys. Rev. B, 67, 165 419 (2003)
- M.A. Moram, M.E. Vickers. Rep. Prog. Phys., 72, 036 502 (2009)
- R. Vetury, N.Q. Zhang, S. Keller, U.K. Mishra. IEEE Trans. Electron Dev., 48, 560 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
