"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Юрасов Д.В.1,2, Бобров А.И.2, Данильцев В.М.1, Новиков А.В.1,2, Павлов Д.А.2, Скороходов Е.В.1, Шалеев М.В.1, Юнин П.А.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Исследовано влияние толщины слоя Ge и условий его отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием двухстадийного роста. Выявлены зависимости плотности прорастающих дислокаций и шероховатости поверхности слоев Ge/Si(001) от толщины слоя Ge, от температуры и времени отжига, а также от наличия атмосферы водорода при отжиге. В результате оптимизации условий роста и отжига получены релаксированные слои Ge/Si(001) толщиной ≤1 мкм с плотностью дислокаций на уровне 107 см-2 и среднеквадратичной шероховатостью поверхности менее 1 нм.
  1. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. ФТТ, 47 (1), 37 (2005)
  2. A. Yakimov, V. Kirienko, V. Armbrister, A. Dvurechenskii. Nanoscale Res. Lett., 8 (1), 217 (2013)
  3. R.E. Camacho-Aguilera, Y. Сai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20, 11 316 (2012)
  4. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178, 459 (2008)
  5. S.M. Ting, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 87, 2618 (2000)
  6. M.E. Groenert, C.W. Leitz, A.J. Pitera, V. Yang, H. Lee, R.J. Ram, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 93, 362 (2003)
  7. V.R. D'Costa, Y.-Y. Fang, J. Tolle, J. Kouvetakis, J. Menendez. Phys. Rev. Lett., 102, 107 403 (2009)
  8. S. Wirths, R. Geiger, N. von der Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M.Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photon., 9, 88 (2015)
  9. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.В. Соколов, С.И. Чикичев. ФТП, 37 (5), 513 (2003)
  10. M.T. Currie, S.B. Samavedam, T.A. Langdo, C.W. Leitz, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 72, 1718 (1998)
  11. L. Colace, G. Mastini, F. Galluzzi, G. Assanto, G. Capellini, L. Di Gaspare, E. Palange, F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 72, 3175 (1998)
  12. H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
  13. A. Nayfeh, C. On Chui, K.C. Saraswat, T. Yonehara. Appl. Phys. Lett., 85, 2815 (2004)
  14. J.M. Hartmann, A. Abbadie, A.M. Papon, P. Holliger, G. Rolland, T. Billon, J.M. Fedeli, M. Rouvi\`ere, L. Vivien, S. Laval. J. Appl. Phys., 95, 5905 (2004)
  15. T.H. Loh, H.S. Nguyen, C.H. Tung, A.D. Trigg, G.Q. Lo, N. Balasubramanian, D.L. Kwong, S. Tripathy. Appl. Phys. Lett., 90, 092 108 (2007)
  16. J.M. Hartmann, A. Abbadie, N. Cherkashin, H. Grampeix, L. Clavelier. Semicond. Sci. Technol., 24, 055 002 (2009)
  17. J.M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010)
  18. V.A. Shah, A. Dobbie, M. Myronov, D.R. Leadley. Thin Sol. Films, 519, 7911 (2011)
  19. M. Richter, C. Rosse, D.J. Webb, T. Topuria, C. Gerl, M. Sousa, C. Marchiori, D. Caimi, H. Siegwart, P.M. Rice, J. Fompeyrine. J. Cryst. Growth, 323, 387 (2011)
  20. K.H. Lee, A. Jandl, Y.H. Tan, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan. AIP Advances, 3, 092 123 (2013)
  21. T.K.P. Luong, M.T. Dau, M.A. Zrir, M. Stoffel, V. Le Thanh, M. Petit, A. Ghrib, M. El Kurdi, P. Boucaud, H. Rinnert, J. Murota. J. Appl. Phys., 114, 083 504 (2013)
  22. П.В. Волков, А.В. Горюнов, А.Ю. Лукьянов, А.Д. Тертышник, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, В.Д. Кузьмин. ФТП, 46 (12), 1505 (2012)
  23. L. Souriau, T. Atanasovac, V. Terzieva, A. Moussa, M. Caymax, R. Loo, M. Meuris, W. Vandervorst. J. Electrochem. Soc., 155 (9), H677 (2008)
  24. M. Halbwax, D. Bouchier, V. Yam, D. Debarre, L.H. Nguyen, Y. Zheng, P. Rosner, M. Benamara, H.P. Strunk, C. Clerc. J. Appl. Phys., 97, 064 907 (2005)
  25. G.A. Slack, S.F. Bartram. J. Appl. Phys., 46, 89 (1975)
  26. G. Capellini, M. De Seta, P. Zaumseil, G. Kozlowski, T. Schroeder. J. Appl. Phys., 111, 073 518 (2012)
  27. Y.H. Xie, G.H. Gilmer, C. Roland, P.J. Silverman, S.K. Buratto, J.Y. Cheng, E.A. Fitzgerald, A.R. Kortan, S. Schuppler, M.A. Marcus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 73, 3006 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.