Вышедшие номера
Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками
Яблонский А.Н.1,2, Байдакова Н.А.1,2, Новиков А.В.1,2, Лобанов Д.Н.1,2, Шалеев М.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Исследованы спектральные и временные характеристики фотолюминесценции, связанной с излучательной рекомбинацией носителей заряда в многослойных структурах SiGe/Si(001) с самоформирующимися Ge(Si) островками. Рассмотрены временные зависимости фотолюминесценции Ge(Si) островков в широком интервале времен задержки после импульса накачки при различных уровнях оптического возбуждения. Исследованы спектры возбуждения фотолюминесценции Ge(Si) островков в структурах SiGe/Si(001) в области межзонной и подзонной оптической накачки, соответствующие различным временным компонентам в кинетике релаксации фотолюминесценции. Обнаружено существенное различие вида спектров возбуждения для быстрой (0-100 мкс) и медленной (100 мкс-50 мс) компонент сигнала фотолюминесценции островков. Показано, что существенная зависимость вида спектров возбуждения фотолюминесценции Ge(Si)/Si(001) островков от мощности оптической накачки связана с продолжительной диффузией неравновесных носителей заряда из слоев объемного кремния в область Ge(Si)-островков при высоких уровнях возбуждения.