"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Фирсов Д.А.1, Воробьев Л.Е.1, Винниченко М.Я.1, Балагула Р.М.1, Кулагина М.М.2, Васильев А.П.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

В структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры фотолюминесценции и межподзонного поглощения света, положение пиков в которых хорошо согласуется с теоретическим расчетом энергий оптических переходов носителей заряда. Исследовано влияние поперечного электрического поля и температуры на межподзонное поглощение света. Оно обусловлено перераспределением электронов между уровнями размерного квантования и изменением энергетического спектра квантовых ям. Проведена оценка величины изменения показателя преломления в области наблюдаемых межподзонных переходов с использованием соотношений Крамерса--Кронига.
  1. S. Luryi, M. Gouzman. Int. J. High Speed Electron. Syst., 16 (2), 559 (2006)
  2. R. Martini, C. Bethea, F. Capasso, C. Gmachl, R. Paiella, E.A. Whittaker, H.Y. Hwang, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.Y. Cho. Electron. Lett., 38 (4), 181 (2002)
  3. V.L. Zerova, L.E. Vorob'ev, D.A. Firsov, E. Towe. Semicond., 41 (5), 596 (2007)
  4. L.E. Vorobjev, M.Ya. Vinnichenko, D.A. Firsov, V.L. Zerova, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, P. Thumrongsilapa, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.P. Vasiljev, L. Shterengas, G. Kipshidze, T. Hosoda, G. Belenky. Semicond., 44 (11), 1402 (2010)
  5. L.E. Vorob'ev, S.N. Danilov, V.L. Zerova, D.A. Firsov. Semicond., 37 (5), 586 (2003)
  6. Д.Н. Бычковский, Т.П. Воронцова, О.В. Константинов. ФТП, 26 (12), 2118 (1992)
  7. K. Bajema, R. Merlin, F.-Y. Juang et al. Phys. Rev. B, 36 (2), 1300 (1987)
  8. E. Dupont, D. Delacourt, V. Berger et al. Appl. Phys. Lett., 62, 1907 (1993)
  9. D.A. Rybalko, M.Ya. Vinnichenko, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, R.M. Balagula, V.Yu. Panevin, M.M. Kulagina, A.P. Vasil'iev. J. Phys.: Conf. Ser., 541, 012 081 (2014)
  10. K.L. Vodopyanov, V. Chazapis, C.C. Phillips, B. Sung, J.S. Harris, jr. Semicond. Sci. Technol., 12, 708 (1997)
  11. H. Schneider, C. Schonbein, M. Walther, P. Koidl, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., 74 (1), 16 (1999)
  12. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) с. 616

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.