Впервые экспериментально исследованы структуры с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, содержащие delta-слой магнитной примеси (Mn) на границе раздела GaAs/InGaAs. Структуры были изготовлены методом МОС-гидридной эпитаксии и лазерного осаждения на подложках проводящего (n⁺) и полуизолирующего GaAs в едином ростовом цикле. Изготовленные образцы различались толщиной слоя InGaAs, которая варьировалась от 1.5 до 5 нм. Обнаружено значительное влияние уменьшения толщины квантовой ямы InGaAs на оптические и магнитотранспортные свойства исследованных структур. При этом наблюдается нелинейный характер магнитополевой зависимости сопротивления Холла и отрицательное магнетосопротивление при температурах ≤30-40 K, циркулярная поляризация электролюминесценции в магнитном поле, противоположное поведение интенсивностей фотолюминесцентного и электролюминесцентного излучения структур, а также возрастание вклада непрямых переходов при уменьшении толщины InGaAs. С использованием моделирования показано, что указанные эффекты могут быть обусловлены влиянием delta-слоя акцепторной примеси (Mn) на зонную структуру и распределение концентрации дырок в двухслойной квантовой яме.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.