"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
Калентьева И.Л.1, Звонков Б.Н.1, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Демина П.Б.1, Дорохин М.В.1, Здоровейщев А.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Впервые экспериментально исследованы структуры с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, содержащие delta-слой магнитной примеси (Mn) на границе раздела GaAs/InGaAs. Структуры были изготовлены методом МОС-гидридной эпитаксии и лазерного осаждения на подложках проводящего (n+) и полуизолирующего GaAs в едином ростовом цикле. Изготовленные образцы различались толщиной слоя InGaAs, которая варьировалась от 1.5 до 5 нм. Обнаружено значительное влияние уменьшения толщины квантовой ямы InGaAs на оптические и магнитотранспортные свойства исследованных структур. При этом наблюдается нелинейный характер магнитополевой зависимости сопротивления Холла и отрицательное магнетосопротивление при температурах ≤30-40 K, циркулярная поляризация электролюминесценции в магнитном поле, противоположное поведение интенсивностей фотолюминесцентного и электролюминесцентного излучения структур, а также возрастание вклада непрямых переходов при уменьшении толщины InGaAs. С использованием моделирования показано, что указанные эффекты могут быть обусловлены влиянием delta-слоя акцепторной примеси (Mn) на зонную структуру и распределение концентрации дырок в двухслойной квантовой яме.
  1. M. Peter, K. Winkler, M. Maier, N. Herres, J. Wagner, D. Fekete, K.H. Bachem, D. Richards. Appl. Phys. Lett., 67 (18), 2639 (1995)
  2. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма ЖТФ, 35 (14), 8 (2009)
  3. С.В. Зайцев, М.В. Дорохин, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский. Письма ЖЭТФ, 90, 730 (2009)
  4. M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, V.D. Kulakovskii, O.V. Vikhrova, S.V. Zaitsev, B.N. Zvonkov. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 245110 (2008)
  5. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн., 75 (6), 56 (2008)
  6. G. Snider. http://www3.nd.edu/~gsnider
  7. А.В. Кудрин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов. Письма ЖТФ, 36 (11), 46 (2010)
  8. И.Л. Калентьева, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, П.А. Юнин. Изв. РАН. Сер. физ., 78 (1), 26 (2014)
  9. В.И. Литовченко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  10. А.И. Бобров, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, Н.В. Малехонова, Е.Д. Павлова. Изв. РАН. Сер. физ., 78 (1), 18 (2014)
  11. M. Dinu, J.E. Cunningham, F. Quochi, J. Shah. J. Appl. Phys., 94, 1506 (2003)
  12. Ю.Г. Садофьев, N. Samal, Б.А. Андреев, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов, А.Г. Спиваков, А.Н. Яблонский. ФТП, 44, 422 (2010)
  13. N.N. Ledentsov, J. Bohrer, M. Beer, F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, D. Bimberg, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, S.V. Shaposhnikov, I.N. Yassievich, N.N. Faleev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 52, 14 058 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.