Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Звонков Б.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Deutschland
NL-Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Deutschland
8
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Гапонова Д.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Тонких А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Мурель А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Самсоненко Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ускова Е.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Никитин С.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ильчук Г.А.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
5
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Поляков Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Хужакулов Э.С.
Ташкентский областной государственный педагогический институт, Ангрен, Узбекистан
4
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Садофьев Ю.Г.
Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
3
Zhang Y.-H.
Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
3
Воробьев Л.Е.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Фирсов Д.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шалыгин В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Фомин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Werner P.
Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle, Germany
3
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Колин Н.Г.
Филиал ФГУП Физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
3
Георгобиани А.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лазарук С.К.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Лабунов В.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гуляев Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Дейбук В.Г.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вдовин Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Марин Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Ефремов М.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гергель В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сизов Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сизов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Barthou C.
Universite P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, Paris Cedex 05, France
3
Осминкина Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
NL-Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Deutschland
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пряхин Д.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Демина П.Б.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Паневин В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Федосов Н.К.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Hanna S.
Institute of Physics, University of Bayreuth, Germany
2
Seilmeier A.
Institute of Physics, University of Bayreuth, Germany
2
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Востоков Н.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Bird J.P.
Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
2
Johnson S.R.
Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
2
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Zakharov N.D.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Некоркин С.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Гридчин В.А.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Любимский В.М.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Бекин Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Попов Б.П.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеулин А.С.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
2
Супрун С.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шумский В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Сибирев Н.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кизяк И.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Манойлов Э.Г.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин Н.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Налет Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Склярчук В.М.
Черновицкий национальный университет Черновцы, Украина
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никитина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Меркурисов Д.И.
Филиал ФГУП Физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2
Матиев А.Х.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Хамхоев Б.М.
Ингушский государственный университет, Магас, Россия
2
Бочкарева Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ефремов А.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ребане Ю.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горбунов Р.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шретер Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Кадушкин В.И.
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Закгейм Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рожанский И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Онушкин Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, Санкт-Петербург, Россия
2
Лешок А.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Соболев В.В.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Камаев Г.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Аржанникова С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Неизвестный И.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Фодчук И.М.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Байдуллаева А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кузан Л.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дремлюженко С.Г.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Остапов С.Э.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Вихров С.П.
Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
2
Ханин Ю.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Черков А.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
2
Сайдашев И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Черенков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лысенко В.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Назаров А.Н.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Якупов М.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковтонюк Н.Ф.
Федеральное государственное унитарное предприятие 1ptЦентральный научно-исследовательский институт "Комета"1pt, Москва, Россия
2
Мисник В.П.
Федеральное государственное унитарное предприятие 1ptЦентральный научно-исследовательский институт "Комета"1pt, Москва, Россия
2
Соколов А.В.
Федеральное государственное унитарное предприятие 1ptЦентральный научно-исследовательский институт "Комета"1pt, Москва, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гойхман М.Я.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Подешво И.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудрявцев В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Белогорохов И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Волкова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Нельсон Д.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карачинский Л.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Deutschland
2
Syvajarvi M.
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
2
Yakimova R.
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
© 2022 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук