"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10577
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
76
Распределение количества просмотров по годам:
580583
544920
527826
472013
407886
391905
361795
321383
394889
500594
495581
452965
452442
460383
444096
458827
479369
488194
427723
455314
426271
547069
557729
549565
523328
567609
571024
549528
522469
481345
380722
277451
152793
61674
2446
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
345
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
279
274
295
249
323
261
89

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2005 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Звонков Б.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Deutschland
NL-Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Deutschland
8
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Гапонова Д.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Тонких А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Мурель А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Самсоненко Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ускова Е.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Никитин С.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ильчук Г.А.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
5
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Поляков Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Хужакулов Э.С.
Ташкентский областной государственный педагогический институт, Ангрен, Узбекистан
4
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Садофьев Ю.Г.
Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
3
Zhang Y.-H.
Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
3
Воробьев Л.Е.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Фирсов Д.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шалыгин В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Фомин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Werner P.
Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle, Germany
3
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Колин Н.Г.
Филиал ФГУП Физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
3
Георгобиани А.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лазарук С.К.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Лабунов В.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гуляев Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Дейбук В.Г.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вдовин Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Марин Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Ефремов М.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гергель В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сизов Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сизов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Barthou C.
Universite P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, Paris Cedex 05, France
3
Осминкина Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
NL-Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Deutschland
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пряхин Д.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Демина П.Б.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Паневин В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Федосов Н.К.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Hanna S.
Institute of Physics, University of Bayreuth, Germany
2
Seilmeier A.
Institute of Physics, University of Bayreuth, Germany
2
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Востоков Н.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Bird J.P.
Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
2
Johnson S.R.
Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
2
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Zakharov N.D.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Некоркин С.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Гридчин В.А.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Любимский В.М.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Бекин Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Попов Б.П.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеулин А.С.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
2
Супрун С.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шумский В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Сибирев Н.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кизяк И.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Манойлов Э.Г.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин Н.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Налет Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Склярчук В.М.
Черновицкий национальный университет Черновцы, Украина
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никитина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Меркурисов Д.И.
Филиал ФГУП Физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2
Матиев А.Х.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Хамхоев Б.М.
Ингушский государственный университет, Магас, Россия
2
Бочкарева Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ефремов А.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ребане Ю.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горбунов Р.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шретер Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Кадушкин В.И.
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Закгейм Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рожанский И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Онушкин Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, Санкт-Петербург, Россия
2
Лешок А.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Соболев В.В.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Камаев Г.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Аржанникова С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Неизвестный И.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Фодчук И.М.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Байдуллаева А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кузан Л.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дремлюженко С.Г.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Остапов С.Э.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Вихров С.П.
Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
2
Ханин Ю.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Черков А.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
2
Сайдашев И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Черенков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лысенко В.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Назаров А.Н.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Якупов М.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковтонюк Н.Ф.
Федеральное государственное унитарное предприятие 1ptЦентральный научно-исследовательский институт "Комета"1pt, Москва, Россия
2
Мисник В.П.
Федеральное государственное унитарное предприятие 1ptЦентральный научно-исследовательский институт "Комета"1pt, Москва, Россия
2
Соколов А.В.
Федеральное государственное унитарное предприятие 1ptЦентральный научно-исследовательский институт "Комета"1pt, Москва, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гойхман М.Я.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Подешво И.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудрявцев В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Белогорохов И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Волкова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Нельсон Д.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карачинский Л.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Deutschland
2
Syvajarvi M.
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
2
Yakimova R.
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
96
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
21
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
19
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
14
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
10
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
7
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
7
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
6
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
6
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
4
Ташкентский областной государственный педагогический институт, Ангрен, Узбекистан
4
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
3
Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, Ярославль, Россия
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
2
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Department of Physics, Bath University, UK
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Deutschland
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Ингушский государственный университет, Магас, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
2
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2
Завод синтетических корундов "Монокристалл", Ставрополь, Россия
1
Epichem Company, Bromborough, Wirral, UK
1