Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 9 » Статья стр. 1138
<<<
Комбинированная модель резонансно-туннельного диода
Абрамов И.И.1, Гончаренко И.А.1, Коломейцева Н.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 21 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.
PDF версия
Предложена комбинированная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. В ней учтены, кроме ряда факторов, важные свойства гетерограниц прибора, в частности форма разрыва зон и поверхностный заряд. Показано, что с помощью модели может быть получено удовлетворительное согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик диода. При этом пиковые напряжения определяются с хорошей точностью только при учете сопротивлений протяженных пассивных областей и поверхностного заряда на гетерограницах.
  1. Ж.И. Алферов, А.Л. Асеев, С.В. Гапонов, П.С. Копьев, В.И. Панов, Э.А. Полторацкий, Н.Н. Сибельдин, Р.А. Сурис. Микросистемная техника, N 8, 3 (2003)
  2. P. Mazumder, S. Kulkarni, M. Bhattacharya, J.P. Sun, G.I. Haddad. Proc. IEEE, 86 (4), 664 (1998)
  3. Technology Roadmap for Nanoelectronics, ed. by R. Compano (European Commission, IST programme, Future and Emerging Technologies, 2000)
  4. Л.В. Иогансен. ЖЭТФ, 45(2), 207 (1963)
  5. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22(11), 562 (1973)
  6. И.И. Абрамов. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем (Минск, БГУ, 1999)
  7. А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, N 9, 21 (1987)
  8. И.Н. Долманов, В.И. Толстихин, В.Г. Еленский. Зарубеж. радиоэлектрон., N 7, 66 (1990)
  9. Е.В. Бузанева. Микроструктуры интегральной электроники (М., Радио и связь, 1990)
  10. Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications, ed. by L.L. Chang, E.E. Mendez and C. Tejedor (N.Y.--London, Plenum Press, 1991)
  11. В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Основы наноэлектроники (Новосибирск, НГТУ, 2000)
  12. R.K. Mains, I. Mehdi, G.I. Haddad. Appl. Phys. Lett., 55(25), 2631 (1989)
  13. Y. Fu, Q. Chen, M. Willander, H. Brugger, U. Meiners. J. Appl. Phys., 74(3), 1874 (1993)
  14. J.P. Sun, G.I. Haddad. VLSI Design, 3, 1 (1997)
  15. А.А. Горбацевич, В.М. Колтыженков, А.Г. Цибизов. Изв. вузов. Электроника, N 4, 61 (2001)
  16. O. Pinaud. J. Appl. Phys., 92(4), 1987 (2002)
  17. W.R. Frensley. Phys. Rev. B, 36(3), 1570 (1987)
  18. N.C. Kluksdahl, A.M. Kriman, D.K. Ferry, C. Ringhofer. Phys. Rev. B, 39(11), 7720 (1989)
  19. K.L. Jensen, F.A. Buot. J. Appl. Phys., 65(12), 5248 (1989)
  20. B.A. Biegel, J.D. Plummer. Phys. Rev. B, 54(11), 8070 (1996)
  21. P. Zhao, D.L. Woolard, B.L. Gelmont, H.-L. Cui. J. Appl. Phys., 94(3), 1833 (2003)
  22. G. Klimeck, R. Lake, R.C. Bowen, W.R. Frensley, T.S. Moise. Appl. Phys. Lett., 67(17), 2539 (1995)
  23. R.C. Bowen, G. Klimeck, R.K. Lake, W.R. Frensley, T. Moise. J. Appl. Phys., 81(7), 3207 (1997)
  24. R. Lake, G. Klimeck, R.C. Bowen, D. Jovanovich. J. Appl. Phys., 81(12), 7845 (1997)
  25. J.P. Sun, G.I. Haddad, P. Mazumder, J.N. Schulman. Proc. IEEE, 86(4), 641 (1998)
  26. И.А. Обухов. Микросистемная техника, N 2, 23 (2001)
  27. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, ред. Л. Ченг, К. Плог (М., Мир, 1989)
  28. J.P. Sun. Modeling of semiconductor quantum devices and its application (Ph.D. Thesises, Dep. of EECS, Univ. of Michigan, Ann Arbor, 1993)
  29. S. Mohan, J.P. Sun, P. Mazumder, G.I. Haddad. IEEE Trans., CAD-14(6), 653 (1995)
  30. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Элекромагнит. волны и электрон. системы, 7(3), 54 (2002)
  31. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 11-й Межд. конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Украина, 2001) с. 443
  32. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., N 1(9)/2, 88 (2000)
  33. И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000)
  34. Туннельные явления в твердых телах, ред. Э. Бурштейн, С. Лундквист (М., Мир, 1973)
  35. Nanostructure Physics and Fabrication, ed. M.A. Reed, W.P. Kirk (San Diego, Academic Press, 1989)
  36. Y. Zohta, T. Tanamoto. J. Appl. Phys., 74(11), 6996 (1993)
  37. И.И. Абрамов. Курс лекций "Моделирование элементов интегральных схем" (Минск, БГУ, 1999)
  38. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., N 2(14)/2, 170 (2002)
  39. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, С.А. Игнатенко, А.В. Королев, Е.Г. Новик, А.И. Рогачев. Микроэлектроника, 32(32), 124 (2003)
  40. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Низкоразмерные системы-2 (Гродно, ГрГУ, 2002) с. 21
  41. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Изв. Белорус. инж. акад., N 1(11)/3, 77 (2001)
  42. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 12-й Межд. конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Украина, 2002) с. 464
  43. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Матер. 13-й Межд. конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Украина, 2003) с. 534
  44. T.B. Boykin, R.C. Bowen, G. Klimeck, K.L. Lear. Appl. Phys. Lett., 75(9), 1302 (1999)
  45. M.V. Fischetti, S.E. Laux. Phys. Rev. B, 38(14), 9721 (1988)
  46. V.J. Goldman, D.C. Tsui, J.E. Cunningham. Phys. Rev. Lett., 58(12), 1256 (1987)
  47. C.Y. Huang. J.E. Morris, Y.K. Su. J. Appl. Phys., 82, 2690 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme