Вышедшие номера
Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции
Байдусь Н.В.1, Демина П.Б.1, Дорохин М.В.1, Звонков Б.Н.1, Малышева Е.И.1, Ускова Е.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследовано влияние различных способов обработки поверхности квантово-размерных гетероструктур GaAs/In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции изготовленных на их основе диодов с барьером Шоттки. Установлено, что наибольший эффект увеличения интенсивности электролюминесценции наблюдается от экспонирования поверхности в CCl4 при температуре 580oC с последующим анодным окислением. Показано, что промежуточный туннельно-тонкий анодный окисел играет важную роль в обеспечении инжекции неосновных носителей из металла в арсенид галлия. Эффективность электролюминесценции существенно зависит от толщины анодного окисла.