Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Исследовано влияние различных способов обработки поверхности квантово-размерных гетероструктур GaAs/In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции изготовленных на их основе диодов с барьером Шоттки. Установлено, что наибольший эффект увеличения интенсивности электролюминесценции наблюдается от экспонирования поверхности в CCl4 при температуре 580oC с последующим анодным окислением. Показано, что промежуточный туннельно-тонкий анодный окисел играет важную роль в обеспечении инжекции неосновных носителей из металла в арсенид галлия. Эффективность электролюминесценции существенно зависит от толщины анодного окисла.
- А.Е. Жуков, Б.В. Воловик, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.Ф. Цацульников, Е.В. Никитина, И.Н. Каяндер, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (17), 51 (2001)
- Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, П.Б. Мокеева, С.М. Некоркин, Е.А. Ускова. Изв. РАН. Сер. физ., 67 (2), 208 (2003)
- A. Babinski, P. Witczak, A. Twardowski, J.M. Baranowski. Appl. Phys. Lett., 78, 3992 (2001)
- Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, П.Б. Мокеева, Е.А. Ускова, С.В. Тихов, М.И. Василевский. Изв. АН. Сер. физ., 68 (1), 251 (2004)
- N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, P.B. Mokeeva, E.A. Uskova, S.V. Tikhov, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes, S.A. Filanovich. Semicond. Sci. Technol., 19, S469 (2004)
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
- B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morozov, Yu.Yu. Gushina. Nanotechnology, 11, 221 (2000)
- Э.В. Буц, Л.И. Возмилова. В сб.: Электронная техника. Сер. Полупроводниковые материалы (М., ЦНИИ "Электроника", 1976) вып. 1 (103), с. 109
- И.Н. Сорокин, В.З. Петрова, Ю.Д. Чистяков, Н.Р. Аигина, Л.Е. Гатько. В сб.: Зарубежная электронная техника (М., ЦНИИ "Электроника", 1979) вып. 14 (209)
- С.В. Тихов, Б.И. Бедный, И.А. Карпович, В.В. Мартынов. Микроэлектроника, 10, 250 (1981)
- H.C. Gard, E.H. Rhoderick. Sol. St. Electron., 16, 365 (1973)
- Н.В. Байдусь, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, 2004) с. 170
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
