"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции
Байдусь Н.В.1, Демина П.Б.1, Дорохин М.В.1, Звонков Б.Н.1, Малышева Е.И.1, Ускова Е.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследовано влияние различных способов обработки поверхности квантово-размерных гетероструктур GaAs/In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции изготовленных на их основе диодов с барьером Шоттки. Установлено, что наибольший эффект увеличения интенсивности электролюминесценции наблюдается от экспонирования поверхности в CCl4 при температуре 580oC с последующим анодным окислением. Показано, что промежуточный туннельно-тонкий анодный окисел играет важную роль в обеспечении инжекции неосновных носителей из металла в арсенид галлия. Эффективность электролюминесценции существенно зависит от толщины анодного окисла.
  1. А.Е. Жуков, Б.В. Воловик, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.Ф. Цацульников, Е.В. Никитина, И.Н. Каяндер, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (17), 51 (2001)
  2. Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, П.Б. Мокеева, С.М. Некоркин, Е.А. Ускова. Изв. РАН. Сер. физ., 67 (2), 208 (2003)
  3. A. Babinski, P. Witczak, A. Twardowski, J.M. Baranowski. Appl. Phys. Lett., 78, 3992 (2001)
  4. Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, П.Б. Мокеева, Е.А. Ускова, С.В. Тихов, М.И. Василевский. Изв. АН. Сер. физ., 68 (1), 251 (2004)
  5. N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, P.B. Mokeeva, E.A. Uskova, S.V. Tikhov, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes, S.A. Filanovich. Semicond. Sci. Technol., 19, S469 (2004)
  6. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  7. B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morozov, Yu.Yu. Gushina. Nanotechnology, 11, 221 (2000)
  8. Э.В. Буц, Л.И. Возмилова. В сб.: Электронная техника. Сер. Полупроводниковые материалы (М., ЦНИИ "Электроника", 1976) вып. 1 (103), с. 109
  9. И.Н. Сорокин, В.З. Петрова, Ю.Д. Чистяков, Н.Р. Аигина, Л.Е. Гатько. В сб.: Зарубежная электронная техника (М., ЦНИИ "Электроника", 1979) вып. 14 (209)
  10. С.В. Тихов, Б.И. Бедный, И.А. Карпович, В.В. Мартынов. Микроэлектроника, 10, 250 (1981)
  11. H.C. Gard, E.H. Rhoderick. Sol. St. Electron., 16, 365 (1973)
  12. Н.В. Байдусь, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, 2004) с. 170

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.