"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ
Хрыкин О.И.1, Бутин А.В.1, Гапонова Д.М.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Мурель А.В.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Изучены свойства слоев GaN, полученных методом МОГФЭ на сапфировых подложках при атмосферном и при пониженном давлении в реакторе. Проведен сравнительный анализ морфологии поверхности, структурных, люминесцентных и электрических транспортных свойств таких структур. Методом ВИМС измерены профили распределения элементов по глубине слоев. Методом электрохимического C-V-профилирования проанализировано распределение носителей тока в сильно легированных структурах с p-n-переходом. Показано, что слои GaN, полученные в реакторе низкого давления, отличаются улучшенными структурными, электрическими и оптическими характеристиками.
  1. S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Springer, 2000)
  2. T. Sasaki, T. Matsuoka. J. Appl. Phys., 77 (1), 192 (1995)
  3. О.И. Хрыкин, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, А.Ю. Лукьянов, А.В. Мурель, А.Г. Фефелов, В.И. Шашкин. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., 2003) с. 162
  4. Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, А.Ю. Лукьянов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Изв. РАН. Сер. физ., 68 (1), 101 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.