"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs
Пряхин Д.А.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Дроздов М.Н.1, Гапонова Д.М.1, Мурель А.В.1, Шашкин В.И.1, Rushworth S.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Epichem Company, Bromborough, Wirral, UK
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Сообщается о получении эпитаксиальных слоев BxGa1-xAs на подложке GaAs методом металлорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении. В качестве источников бора, галлия и мышьяка использовались триэтилбор, триметилгаллий и арсин. Были подобраны оптимальные условия роста. Слои были исследованы методами рентгеновской дифракции, вторичной ионной масс-спектрометрии и фототоковой спектроскопии. Результаты вторичной ионной масс-спектрометрии показали равномерное распределение бора по толщине слоя. По данным фототоковой спектроскопии ширина запрещенной зоны BGaAs уменьшается с ростом концентрации бора.
  1. H. Dumont, J. Dazord, Y. Monteil, F. Alexandre, K. Goldstein. J. Cryst. Growth, 248, 463 (2003)
  2. H. Dumont, D. Rutzinger, C. Vincent, J. Dazord, Y. Monteil. Appl. Phys. Lett., 82 (12), 1830 (2003)
  3. J.F. Geinsz, D.J. Friedman, J.M. Oslon, Sarah R. Kurtz, R.C. Reedy, A.B. Swartzlander, B.M. Keyes, A.G. Norman. Appl. Phys. Lett., 76 (11), 1443 (2000)
  4. J.F. Geinsz, D.J. Friedman, Sarah R. Kurtz, R.C. Reedy, G. Barber. J. Electrochem. Soc., 30 (11), 1387 (2001)
  5. V. Gottschalch, G. Leibiger, G. Benndorf. J. Cryst. Growth, 248, 468 (2003)
  6. H.M. Manasevit, W.B. Hewitt, A.J. Nelson, A.R. Mason. J. Electrochem. Soc., 136, 3070 (1989)
  7. S.M. Ku. J. Electrochem. Soc., 113 (8), 813 (1966)
  8. T.L. Chu, A.E. Hyslop. J. Electrochem. Soc., 121, 412 (1974)
  9. V.K. Gupta, M.W. Koch, N.J. Watkins, Y. Gao, G. Wicks. J. Electron. Mater., 29, 1387 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.