Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках
Вишняков Н.В.1, Вихров С.П.1, Мишустин В.Г.1, Авачев А.П.1, Уточкин И.Г.1, Попов А.А.2
1Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
2Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
Рассмотрены проблемы формирования потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках. На примере контакта металл-аморфный гидрогенизированный кремний рассмотрена обобщенная модель формирования потенциальных барьеров в таких структурах. Показано, что свойства барьеров в неупорядоченных полупроводниках определяются характером распределения по энергии локализованных состояний в щели подвижности. Это позволило получить аналитическое выражение для электрического поля и потенциала в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника и предложить новый способ формирования поверхностных квазиомических контактов.
- Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
- В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974)
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
- А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
- С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин. Тез. докл. IV Межд. конф. по физ.-техн. проблемам электротех. матер. и компонентов. (М., Изд-во МЭИ, 2001) с. 93
- В.И. Архипов, В.М. Логин, А.И. Руденко, А.А. Симашкевич, С.Д. Шутов. ФТП, 22, 276 (1988)
- S.P. Vikhrov, V.A. Ligachev, N.V. Vishnyakov. Proc. SPIE (1992) p. 600
- Н.В. Вишняков. Вестн. РГРТА, 11, 98 (2003)
- А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. Неупорядоченные полупроводники (М., Изд-во МЭИ, 1995)
- В.В. Ильченко, В.И. Стриха. ФТП, 18, 873 (1984)
- С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, Д.Н. Гусев. Барьеры Шоттки на кристаллических и аморфных полупроводниках. Рязань, РГРТА, 1999
- С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин, А.А. Попов, А.Е. Бердников. Тр. III Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., Россия, 2002) с. 31
- Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, И.Г. Уточкин. Вестн. РГРТА, 10, 74 (2002)
- S.P. Vikhrov, N.V. Vishnyakov, V.G. Mishustin, A.A. Popov. J. Optoelectr. Advan. Mater., 5 (5), 1249 (2003)
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
- С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин, А.А. Попов. Патент РФ N 2229755 (2004)
- С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, И.Г. Уточкин, А.П. Авачев. Тез. докл. 4-й Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., Россия, 2004) с. 313
- А.П. Авачев. Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства: Межвуз. сб. (Рязань, РГРТА, 2003) с. 19
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук