Вышедшие номера
Исследование некоторых свойств структур Si--Si1-xGex (0=<q x=<q 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора--расплава методом жидкофазной эпитаксии
Сапаев Б.1, Саидов А.С.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 9 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Экспериментально определены параметры решетки, ширина запрещенной зоны для структур Si-Si1-xGex в зависимости от соотношения химических компонентов x (0=<q x=<q 1). Исследованы распределение компонентов по толщине твердых растворов Si1-xGex и некоторые фотоэлектрические свойства. Экспериментальные данные указывают на совершенство полученных структур. Варизонные твердые растворы Si1-xGex (0=<q x=<q 1) могут быть применены для изготовления фотоэлектрических приборов, чувствительных к излучению в видимой и ближней инфракрасной областях, а также использоваться как подложечный материал для выращивания на нем GaAs и его твердых растворов.
  1. А.С. Саидов, Б.И. Сушко, А.М. Тузовский. Тез. докл. V Координац. совещ. по исследованию и применению сплавов кремний--германий (Ташкент, 1981) с. 6
  2. М.С. Саидов, С. Дадамухамедов, А.С. Саидов. ДАН УзССР, N 1, 29 (1984)
  3. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов. ФТП, 37 (5), 513 (2003)
  4. А.С. Саидов, Б. Сапаев, Э.А. Кошчанов. ДАН РУз, N 11, 18 (1994)
  5. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский. Письма ЖТФ, 30 (2), 61 (2004)
  6. К.Л. Лютович, Л.Н. Стрельцов, А.С. Лютович. ФТП, 6 (1, 2), 199 (1972)
  7. Х.Т. Акрамов, А.С. Лютович, К.Л. Лютович. Гелиотехника, N 6, 12 (1979)
  8. И.Г. Атабаев. Автореф. докт. дис. (Ташкент, 2001)
  9. А.Г. Забродский, В.А. Евсеев, Р.Ф. Коноплева. ФТП, 20 (11), 2042 (1986)
  10. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
  11. М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. I, II
  12. J. Nielsen, K.B. Nielsen, A.N. Larsen. Mater. Sci. Forum, 38--41, pt 1, 439 (15th Int. Conf. on Defects in Semiconductors. Budapest, Aug. 22--26, 1988)
  13. B.G. Svensson, J. Svensson, J.L. Lindstrom, G. Gavies, J.W. Corbett. Appl. Phys. Lett., 51 (26), 2257 (1987)
  14. A.S. Oates, M.J. Binns, R.C. Newman, R.C. Tucker, J.G. Wilkes, A. Wilkinson. J. Phys. C, 17 (32), 5695 (1984)
  15. G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 12 (10), 4383 (1975)
  16. A. Brelot. IEEE Trans. Nucl. Sci., 19, 22 (1972)
  17. Б. Сапаев. Письма ЖТФ, 29 (20), 64 (2003)
  18. Ю.Б. Болховитянов, Р.И. Болховитянов, П.Л. Мельников. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, Наука, 1975)
  19. A.Yu. Malinin, O.B. Nevsky. J. Electron. Mater., 7, 757 (1978)
  20. A.Yu. Malini, O.B. Nevsky. J. Electron. Mater., 7, 775 (1978)
  21. Е.Ф. Вегман, Ю.Г. Руфанов, И.Н. Федорченко. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография (М., Металлургия, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.