"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых ямах
Зегря Г.Г.1, Соловьев И.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Теоретически исследована ватт-амперная характеристика полупроводникового лазера на квантовых ямах с учетом эффекта насыщения коэффициента усиления. Показано, что при больших значениях плотности тока ватт-амперная характеристика становится нелинейной. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными.
  1. T. Makino, J.D. Evans, G. Mak. Appl. Phys. Lett., 71, 2871 (1997); L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, R.A. Suris, G.G. Zegrya, B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 14, 1069 (1999)
  2. J.G. Kim, L. Shterengas, R.U. Martinelli, G.L. Belenky, D.Z. Garbuzov, W.K. Chan. Appl. Phys. Lett., 81, 3146 (2002)
  3. V.P. Evtikhiev, E.Yu. Kotelnikov, D.V. Dorofeyev, G.G. Zegrya. Proc. 8-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Symp. Nannostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, June 19--23, 2000) p. 407
  4. О.Н. Кронин. ФТТ, 7, 2612 (1966)
  5. V.M. Galitckij, V.F. Elesin. Resonans Coupling of Electromagnetic Fields and Semiconductors (Moscow, 1986)
  6. К. Блум. Теория матрицы плотности и ее приложения (М., Мир, 1983)
  7. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  8. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev., 58, 4039 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.