"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe
Драпак С.И.1, Воробец М.О.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 3 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Исследовано влияние механического давления в направлении, перпендикулярном плоскости локализации границы раздела гетеропереходов n-InSe--p-GaSe, на изменение фотоэдс насыщения и тока короткого замыкания. Показано, что в оптических контактах InSe/GaSe, находящихся под воздействием давления P=35-40 кПа, наблюдается увеличение напряжения холостого хода почти в 2 раза и тока короткого замыкания более чем в 5 раз по сравнению с исходными образцами, что позволяет прогнозировать возможность увеличения кпд фотопреобразования таких структур до 15-16%.
  1. В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11 (10), 2000 (1977)
  2. Э.Г. Аширов, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Ю.С. Магай и др. Тез. докл. Всес. сем. по радиационным эффектам в полупроводниках и полупроводниковых приборах (Баку, Азернешер, 1980) с. 91
  3. С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Манассон. Физ. электроника, N 41, 92 (1988)
  4. С.И. Драпак, В.Б. Орлецкий, З.Д. Ковалюк. ФТП, 38 (5), 566 (2004)
  5. R.H. Williams, A.J. Mc Avej. J. Vac. Sci. Technol., 9 (2), 867 (1972)
  6. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationhips in Science and Technology. New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer, 1983) v. 17
  7. C. Ulrich, D. Olguin, A. Cantarero, A.R. Goni, R. Syassen, A. Chevy. Phys. Status Solidi (b), 221, 777 (2000)
  8. S.I. Drapak, V.N. Katerinchyk, Z.D. Kovalyuk, V.A. Manasson. Phys. Status Solidi (a), 115, K35 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.