"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник
Берман Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Выполнен расчет деполяризации в структуре металл-p-сегнетоэлектрик-n-полупроводник, основанный на анализе экспериментальных параметров петли гистерезиса структуры металл-сегнетоэлектрик-металл. Для полупроводника уравнение Пуассона решается известными методами, для сегнетоэлектрика - численным интегрированием. Рассмотрены два варианта параметров полупроводника. 1. Широкая n-область, за областью объемного заряда имеется область электрической нейтральности. 2. Тонкая n-область, электрическое поле проникает сквозь n-область. Показано, что деполяризация существенно уменьшает поляризацию сегнетоэлектрика, причем это уменьшение более значительно для полупроводника с меньшей концентрацией примеси. В случае, когда электрическое поле проходит через всю n-область, деполяризация уменьшается с уменьшением толщины n-области.
  1. J.F. Scott, D.A. Araujo. Science, 246, 1400 (1989)
  2. Y. Watanabe, Y. Matsumoto, M. Tanamura. Jap. J. Appl. Phys., pt 1, 34, 5254 (1995)
  3. Y. Watanabe. Phys. Rev. B, 59, 11 257 (1999)
  4. W. Wu, K.H. Wong, C.L. Mak at al. J. Appl. Phys., 88, 2068 (2000)
  5. Y.T. Kim, D.S. Shin. Appl. Phys. Lett., 71, 3507 (1997)
  6. Б.М. Вул, Г.М. Гуро, И.И. Иванчик. ФТП, 4, 162 (1970)
  7. R.R. Mehta, B.D. Silverman, J.T. Jacobs. J. Appl. Phys., 44, 3379 (1973)
  8. I.P. Batra, P. Wurfel. Phys. Rev. B, 8, 3257 (1973)
  9. P. Wurfel, I.P. Batra. Phys. Rev. B, 8, 5126 (1973)
  10. Л.С. Берман. ФТП, 35, 200 (2001)
  11. M.W. Prins, K.O. Grosse-Holz, G. Muller et al. Appl. Phys. Lett., 68, 3650 (1996)
  12. M.W. Prins, S.E. Zinnemers, J.F.M. Cillessen et. al. Appl. Phys. Lett., 70, 458 (1997)
  13. M.W. Prins, K.O. Grosse-Holz, J.F.M. Cillessen et. al. J. Appl. Phys., 83, 888 (1998)
  14. J.M. Benedetto, R.A. Moore, Mc Lean. J. Appl. Phys., 75, 460 (1994)
  15. P.K. Larsen, G.J.M. Dormans, D.J. Taylor, P.J. van Veldhoven. J. Appl. Phys., 76, 2405 (1994)
  16. Л.С. Берман, И.Е. Титков. ФТП, 38 (6), 69 (2004)
  17. S.L. Miller, J.P. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 68, 6463 (1990)
  18. S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 70, 2849 (1991)
  19. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981) т. 1
  20. J.F.M. Cillessen, M.W.J. Prins, R.M. Wolf. J. Appl. Phys., 81, 2778 (1997)
  21. V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov. J. Phys.: Condens. Mater., 39 (13), 138 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.