"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние диффузии Te из подложки n-GaSb : Te на свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных в присутствии свинца
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Липаев А.Ф.1, Куницына Е.В.1, Пархоменко Я.А.1, Сиповская М.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Исследовано влияние диффузии Te из подложки n-GaSb : Te на транспортные и фотоэлектрические свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов. Показано, что наибольшее влияние диффузии Te из подложки наблюдается в эпитаксиальных слоях твердых растворов толщиной 1-2 мкм. В данных образцах при освещении их светом в области собственного поглощения возникает большой сигнал фотоэдс.
  1. А.Н. Баранов, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 98 (1990)
  2. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 1072 (1990)
  3. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, Д.А. Васюков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 941 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.