Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффективная фотолюминесценция ближнего инфракрасного диапазона в слоях нитрида галлия, легированного мышьяком
Андрианов А.В.1, Новиков С.В.1, Журавлев И.С.1, Ли Т.2, Чаа Р.2, Булл С.2, Харрисон И.2, Ларкинс Е.К.2, Фоксон К.Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Физический факультет и Факультет электрической инженерии Университета г. Ноттингем, NG7 2 RD, Великобритания
2Физический факультет и Факультет электрической инженерии Университета г. Ноттингем, NG7 2 RD, Великобритания
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Обнаружена и исследована фотолюминесценция в диапазоне 1.2-1.4 эВ в слоях GaN : As, выращенных на подложках (0001) Al2O3. Фотолюминесценция обусловлена излучательной рекомбинацией в нанокристаллитах GaAs, самоорганизующихся в матрице GaN в процессе роста. Интенсивность фотолюминесценции максимальна при температуре роста ~ 780oC, что объясняется конкуренцией нескольких зависящих от температуры процессов, влияющих на вероятность образования нанокристаллитов. На высокоэнергетическом крае полосы излучения наблюдаются линии, обусловленные рекомбинацией связанных экситонов в нанокристаллитах GaAs и фононными репликами связанных экситонов. Энергии соответствующих оптических фононов характерны для GaAs. В спектрах возбуждения фотолюминесценции наблюдаются особенности, относящиеся к резонансному возбуждению свободных и связанных экситонов, а также к возбуждению экситонов с одновременным испусканием оптических фононов.
- J.W. Ager III, W. Walukiewicz. Semicond. Sci. Technol., 17, 741 (2002)
- I.A. Buyanova, W.M. Chen, B. Monemar. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 6, 2 (2001)
- R. Schwabe, W. Seifert, F. Bugge, R. Bimdemann, V.F. Agekyan, S.V. Pogarev. Sol. St. Commun., 55, 167 (1985)
- S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jap. J. Appl. Phys., 32, Pt 1, 4413 (1993)
- A.J. Winser, S.V. Novikov, C.S. Davis, T.S. Cheng, C.T. Foxon, I. Harrison. Appl. Phys. Lett., 77, 2506 (2000)
- B. Gill, A. Morel, T. Taliercio, P. Lefebvre, C.T. Foxon, I. Harrison, A.J. Winser, S.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 79, 69 (2001)
- A.V. Andrianov, S.V. Novikov, R. Xia, T. Li, S. Bull, A.J. Winser, C.R. Staddon, I. Harrison, E.C. Larkins, C.T. Foxon. Proc. 26th Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 2002) D19
- A.V. Andrianov, S.V. Novikov, T. Li, R. Xia, S. Bull, A.J. Winser, I. Harrison, E.C. Larkins, C.T. Foxon. Phys. Status Solidi B, 238, 204 (2003)
- T.H. De Keijser, E.J. Mittemeijer, H.C.F. Rozendaal. J. Appl. Crystallogr., 16, 309 (1983)
- E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
- R.L. Willardson, A.C. Beer. In: Semiconductors and Semimetals (N. Y.-London, Academic Press, 1972) v. 8
- T. Makimoto, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 67, 688 (1995)
- T. Shima, Y. Mikita, S. Kimura, T. Iida, H. Sanpei, M. Yamaguchi, K. Kudo, K. Tanaka, N. Kobayashi, A. Sandhu, Y. Hoshino. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 127/128, 437 (1997)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
- E. Gross, S. Permogorov, V. Travnikov, A. Selkin. J. Phys. Chem. Sol., 31, 2595 (1970)
- V.A. Kharchenko, M. Rosen. J. Luminesc., 70, 158 (1996)
- M. Ghanassi, M.C. Schanne-Klein, F. Hache, A.I. Ekimov, D. Ricard, C. Flyatzanis. Appl. Phys. Lett., 62, 78 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
