Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии
Васильева Ю.В.1, Данилов Ю.А.1, Ершов Ант.А.1, Звонков Б.Н.1, Ускова Е.А.1, Давыдов А.Б.1, Аронзон Б.А.1, Гуденко С.В.1, Рыльков В.В.1, Грановский А.Б.2, Ганьшина Е.А.2, Перов Н.С.2, Виноградов А.Н.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Развит метод легирования GaAs марганцем с использованием лазерного испарения металлической мишени в процессе МОС-гидридной эпитаксии. Метод использован для формирования как однородно легированных слоев GaAs : Mn, так и двумерных структур, включающих delta-легированный марганцем слой GaAs и квантовую яму InxGa1-xAs, разделенные спейсером GaAs толщиной d=3-6 нм. Показано, что полученные структуры обладают при комнатной температуре измерений магнитооптическими и магнитными свойствами, обусловленными, вероятнее всего, наличием кластеров MnAs. В области низких температур (~30 K) выявлен аномальный эффект Холла, который объяснен обменным взаимодейтвием между ионами Mn посредством дырок 2D канала.
- H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye. Appl. Phys. Lett., 69, 363 (1996)
- H. Ohno, F. Matsukura. Sol. St. Comm., 117, 179 (2001)
- A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. B, 67, 241 308 (2003)
- H. Shimizu, M. Miyamura, M. Tanaka. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2063 (2000)
- Б.Н. Звонков, В.В. Подольский, В.П. Лесников, С.А. Ахлестина, Л.М. Батукова, Е.Р. Демидова, Ю.Н. Дроздов, И.Г. Малкина, Д.О. Филатов, Т.Н. Янькова. Высокочистые вещества, N 4, 114 (1993)
- N. Perov, A. Radkovskaya. Proc. 1\&2 Dimensional Magnetic Measurements and testing, Austria, Bad-Gastain, 20-21 September, 2000 (Vienna Magnetic Group report, 2001) p. 104
- К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.А. Якушева. ФТП, 32, 791 (1998)
- M. Ilegems, R. Dingle, L.W. Rupp. J. Appl. Phys., 46, 3059 (1975)
- D.A. Woodbury, J.S. Blakemore. Bull. Am. Phys. Soc., 18, 381 (1973)
- H. Akinaga, M. Mizuguchi, T. Manado, E. Ganshina, A. Granovsky, I. Rodin, A. Vinogradov, A. Yurasov. J. Magn. Magn. Mater., 242--245, 470 (2002)
- С.К. Кузнецова. Изв. АН. Неорг. матер., 11, 950 (1975)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- H. Munekata. Mater. Sci. Eng. B, 31, 151 (1995)
- X. Chen, M. Na, M. Cheon, S. Wang, H. Luo, B.D. Mc Combe, X. Liu, Y. Sasaki, T. Wojtowicz, J.K. Furdyna, S.J. Potashnik, P. Schiffer. Appl. Phys. Lett., 81, 511 (2002)
- K.W. Edmonds, R.P. Campion, K.-Y. Wang, A.C. Neumann, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, P.C. Main. J. Appl. Phys., 93, 6787 (2003)
- N. Otsuka, Y. Tesaki, T. Yamada, A. Suda, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 88, 6016 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
