"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии
Васильева Ю.В.1, Данилов Ю.А.1, Ершов Ант.А.1, Звонков Б.Н.1, Ускова Е.А.1, Давыдов А.Б.1, Аронзон Б.А.1, Гуденко С.В.1, Рыльков В.В.1, Грановский А.Б.2, Ганьшина Е.А.2, Перов Н.С.2, Виноградов А.Н.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Развит метод легирования GaAs марганцем с использованием лазерного испарения металлической мишени в процессе МОС-гидридной эпитаксии. Метод использован для формирования как однородно легированных слоев GaAs : Mn, так и двумерных структур, включающих delta-легированный марганцем слой GaAs и квантовую яму InxGa1-xAs, разделенные спейсером GaAs толщиной d=3-6 нм. Показано, что полученные структуры обладают при комнатной температуре измерений магнитооптическими и магнитными свойствами, обусловленными, вероятнее всего, наличием кластеров MnAs. В области низких температур (~30 K) выявлен аномальный эффект Холла, который объяснен обменным взаимодейтвием между ионами Mn посредством дырок 2D канала.
  1. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye. Appl. Phys. Lett., 69, 363 (1996)
  2. H. Ohno, F. Matsukura. Sol. St. Comm., 117, 179 (2001)
  3. A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. B, 67, 241 308 (2003)
  4. H. Shimizu, M. Miyamura, M. Tanaka. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2063 (2000)
  5. Б.Н. Звонков, В.В. Подольский, В.П. Лесников, С.А. Ахлестина, Л.М. Батукова, Е.Р. Демидова, Ю.Н. Дроздов, И.Г. Малкина, Д.О. Филатов, Т.Н. Янькова. Высокочистые вещества, N 4, 114 (1993)
  6. N. Perov, A. Radkovskaya. Proc. 1\&2 Dimensional Magnetic Measurements and testing, Austria, Bad-Gastain, 20-21 September, 2000 (Vienna Magnetic Group report, 2001) p. 104
  7. К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.А. Якушева. ФТП, 32, 791 (1998)
  8. M. Ilegems, R. Dingle, L.W. Rupp. J. Appl. Phys., 46, 3059 (1975)
  9. D.A. Woodbury, J.S. Blakemore. Bull. Am. Phys. Soc., 18, 381 (1973)
  10. H. Akinaga, M. Mizuguchi, T. Manado, E. Ganshina, A. Granovsky, I. Rodin, A. Vinogradov, A. Yurasov. J. Magn. Magn. Mater., 242--245, 470 (2002)
  11. С.К. Кузнецова. Изв. АН. Неорг. матер., 11, 950 (1975)
  12. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  13. H. Munekata. Mater. Sci. Eng. B, 31, 151 (1995)
  14. X. Chen, M. Na, M. Cheon, S. Wang, H. Luo, B.D. Mc Combe, X. Liu, Y. Sasaki, T. Wojtowicz, J.K. Furdyna, S.J. Potashnik, P. Schiffer. Appl. Phys. Lett., 81, 511 (2002)
  15. K.W. Edmonds, R.P. Campion, K.-Y. Wang, A.C. Neumann, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, P.C. Main. J. Appl. Phys., 93, 6787 (2003)
  16. N. Otsuka, Y. Tesaki, T. Yamada, A. Suda, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 88, 6016 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.