Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицами Al. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.
- A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeout, D. Grischkowsky, D.T. McInturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
- Kian-Giap Gan, Jin-Wei Shi, Yen-Hung Chen, Chi-Kuang Sun, Yi-Jen Chiu, John E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 80, 4054 (2002)
- S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett., 83, 4199 (2003)
- C. Baker, S. Gregory, W.R. Tribe, M.J. Evans, M. Withers, P.F. Taday, V.P. Wallace, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett., 83, 4113 (2003)
- V. Shashkin, V. Daniltsev, M. Drozdov, Yu. Drozdov, A. Murel, N. Vostokov, S. Rushworth. Booklet of Extended Abstracts of 10th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Italy, Lecce, 2003) p. 79
- НВ. Востоков, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. Изв. РАН. Сер. физ., 68 (1), 55 (2004)
- V. Shashkin, S. Rushworth, V. Daniltsev, A. Murel, Yu. Drozdov, S. Gusev, O. Khrykin, N. Vostokov. J. Electron. Mater., 30, 980 (2001)
- V.M. Danil'tsev, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, Yu. Shuleshova, N.V. Vostokov. Phys. Low.-Dim. Structur., 3/4, 321 (2001)
- Н.В. Востоков, В.И. Шашкин. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., 2003) с. 257
- Н.В. Востоков, В.И. Шашкин. ФТП, 38, 1084 (2004)
- M. Achermann, U. Siegner, L.-E. Wetnersson, U. Keller. Appl. Phys. Lett., 77, 3370 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
