Вышедшие номера
Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs
Востоков Н.В.1, Гусев С.А.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Корытин А.И.2, Мурель А.В.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицами Al. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.