"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм
Антонов А.В.1, Гапонова Д.М.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Молдавская Л.Д.1, Мурель А.В.1, Туловчиков В.С.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследованы особенности формирования квантовых точек InAs методом металлорганической газофазной эпитаксии в зависимости от времени роста или эквивалентной толщины слоя InAs. Методами просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции показано, что увеличение времени роста квантовых точек в матрице GaAs приводит к изменению не только их размеров, но и формы --- увеличивается отношение вертикальных и латеральных размеров. Изготовлены многослойные селективно-легированные структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками, и проведено исследование инфракрасной фотопроводимости в продольной и вертикальной геометрии электонного транспорта. В режиме нормального падения излучения наблюдалась внутризонная фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне (2.5-5 мкм) до температуры 110 K.
  1. J. Phillips. J. Appl. Phys., 91 (7), 4590 (2002)
  2. H.C. Li, J.-Y. Duboz, R. Dudek, Z.R. Wasilewski, S. Fafard, P. Finnie. Physica E, 17, 631 (2003)
  3. S.-Y. Tang Lin, S.-C. Lee. Appl. Phys. Lett., 78 (17), 2428 (2001)
  4. A.D. Stiff, S. Krishna, P. Bhattacharya, S. Kennerly. Appl. Phys. Lett., 79 (3), 421 (2001)
  5. A.D. Stiff, S. Krishna, P. Bhattacharya, S. Kennerly. IEEE J. Quant. Electron., 37 (11), 1412 (2001)
  6. S.-Y. Lin, Y.-J. Tsai, S.-C. Lee. Appl. Phys. Lett., 83 (4), 752 (2003)
  7. B. Aslan, H.C. Liu, M. Korkusinski, S.-J. Cheng, P. Hawrylak. Appl. Phys. Lett., 82 (4), 630 (2003)
  8. L.D. Moldavskaya, V.I. Shashkin, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, V.M. Daniltsev, A.V. Murel, B.A. Andreev, A.N. Yablonsky, S.A. Gusev, D.M. Gaponova, O.I. Khrykin, A.Yu. Luk'yanov, E.N. Sadova. Physica E, 17, 634 (2003)
  9. J.S. Kim, J.H. Lee, S.U. Hong, W.S. Han, H.-S. Kwack, C.W. Lee, D.K. Oh. J. Appl. Phys., 94 (10), 6603 (2003)
  10. U.H. Lee, Y.D. Jang, H. Lee, D. Lee, J.S. Kim, J.Y. Leem, S.K. Noh. Physica E, 17, 129 (2003)
  11. В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель, А.В. Германенко, Г.М. Миньков. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 2003) с. 403
  12. G. Saint-Girons, G. Patriarche, A. Mereuta, I. Sagnes. J. Appl. Phys., 91 (6), 3859 (2002)
  13. G. Saint-Girons, I. Sagnes. J. Appl. Phys., 91 (12), 10 115 (2002)
  14. L.D. Moldavskaya, V.I. Shashkin, M.N. Drozdov, V.M. Daniltsev, A.V. Antonov, A.N. Yablonsky. Acta Phys. Polon. A, 103 (6), 579 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.