Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование фотоэлектрических свойств квантовых точек Ge в матрице ZnSe на GaAs

Неизвестный И.Г.¹, Супрун С.П.¹, Шумский В.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики фототока при T=4.2 и 300 K в ненапряженной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al с туннельно-прозрачными слоями ZnSe и Ge-квантовыми точками. При комнатной температуре без освещения на вольт-амперных характеристиках наблюдались особенности типа "кулоновской лестницы". На основе анализа экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры. В транзисторной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/p-Ge с каналом из p-Ge и с плавающим затвором из Ge-квантовых точек при освещении светом разного спектрального состава наблюдалось как увеличение, так и уменьшение полного тока канала. Указанные изменения тока канала связаны с захватом положительного и отрицательного заряда на квантовых точках при разных оптических переходах. Накопление заряда ведет к изменению состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии и либо уменьшает, либо увеличивает полный ток.

F.A. Reboredo, Alex Zunger. Phys. Rev. B, 62, R2275 (2000)
Lingjie Guo, Effendi Leobundung, Stephen Y. Chou. Science, 275, 649 (1997)
И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, А.Б. Талочкин, В.Н. Шумский, А.В. Ефанов. ФТП, 35 (9), 1135 (2001)
I.G. Neizvestny, S.P. Suprun, V.N. Shumsky, A.B. Talochkin, E.V. Fedosenko, T.M. Burbaev, V.A. Kurbatov. Nanotechnology, 12, 437 (2001)
И.Ю. Бородин, И.А. Литвинова, И.Г. Неизвестный, А.В. Прозоров, С.П. Супрун, А.Б. Талочкин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский. Письма ЖЭТФ, 78 (3), 184 (2003)
H. Kroemer. Surf. Sci., 132, 543 (1983)
G. Bratina, R. Nicolini, L. Sorba, L. Vansetti, Guido Mula, X. Yu, A. Franciosi. J. Cryst. Growth, 127, 387 (1993)
И.А. Литвинова, И.Г. Неизвестный, А.В. Прозоров, С.П. Супрун, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский. Письма ЖЭТФ, 78 (12), 1289 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель